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一般特征外形接口尺寸(宽 x 高 x 深)重量控制器容量NAND 闪存垃圾回收抗震性振动S.M.A.R.TDRAM 高速缓存安全其它 2.5英寸 SATA 6Gb/s (兼容SATA 3Gb/s 及 SATA 1.5Gb/s) 100 x 69.85 x 7mm 最高重量:53g 三星 3核 MEX 控制器 120GB 1x nm 三星 Toggle DDR 2.0 NAND 闪存 (400Mbps) 支持 1,500G & 0.5ms (半正弦) 运行:随机振动: 2.17Grms (7~800Hz)非运行:随机振动: 3.08Grms (7~800Hz) 支持 256MB LPDDR2 AES 256位 全盘加密 (FDE)支持TCG-OPAL/eDrive (自2013年10月始) 支持全球名称 (WWN), LED 指示灯 性能连续读取连续写入Random Read (4KB, QD32)Random Write (4KB, QD32)Random Read (4KB, QD1)Random Write (4KB, QD1) 最大 540 MB/s 最大 410 MB/s 最大 94,000 IOPS 35,000 IOPS 最大 10,000 IOPS 最大 33,000 IOPS 环境温度可靠性(MTBF)工作温度湿度 平均故障间隔时间:1,5 00,000小时 运行:0°C 至 70°C非运行:-55°C 至 95°C 5% 至 95%, 不凝结 保修期3 年有限保修 支持支持 TRIM支持(需要操作系统支持)&n... [详细介绍]
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