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参数
数值
| 产品分类 | 分离式半导体产品>>FET - 单 |
| PDF下载 |  |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 6.95 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1400pF @ 12V |
| 功率 - 最大 | 870mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装 | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | NTMFS4821NT1GOSDKR |
