点击图片查看大图| 加工定制: | 是 |
| 种类: | 其他 |
生长方法：直拉CZ
型号/掺杂剂：P型/硼N型/磷、砷、锑
晶向：<100> / <111>
电阻率(Ω.cm)：0.001-50
径向电阻率变化：(%) P< 6 N型< 25
氧含量与公差： 5.0-7.8 × ± 0.5
径向氧含量变化(%)：< 5
碳含量(at )：≤ 2.0×
金属铁含量(at )：≤ 1.0×
表面金属(at)：铜/铬/铁/镍≤ 5.0× 铝/锌/钾/钠/钙≤ 2.0×
厚度(微米)：按SEMI标准或用户要求
厚度公差(微米)：±15或用户要求
总厚度变化TTV (微米)：< 2.5
平整度TIR (微米)：< 1.2
局部平整度：STIRmax (微米) < 0.3
翘曲度(微米)：< 30
颗粒(# per wafer)：< 30 (for size > 0.2微米)
