发布需求
led照明技术被普遍应用，下面浅析一下照明技术。
1、外延技术：(1)衬底剥离技术 该技术首先由美国惠普公司在AlGAInP/GaAsLED实现,GaAs衬底的吸光大,剥离GaAs后,把AlGaInP粘贴在透明的GaP衬底上,发光效率提升近2倍。蓝宝石衬底激光剥离技术是基于GaN同质外延剥离发展的技术,利用紫外激光照射衬底,融化过渡层剥离,2003年OSRAM用此工艺剥离蓝宝石,将出光率提至75%,是传统的3倍,并形成了生产线。
(2)表面粗化技术 由于外延材料的折射率与封装材料不同导致部分出射光将被反射回到外延层。工艺上直接对外延表面进行处理,容易损伤外延有源层,而且透明电极更难制作,通过改变外延层生长条件达到表面粗化是可行之路。
(3)二维光子晶体的微结构 可提高出光效率,2003年9月日本松下电器制作出了直径1.5微米,高0.5微米的凹凸光子晶体的LED,出光率提高60%。
(4)倒装芯片技术 据美国Lumileds公司数据,蓝宝石衬底的LED约增加出光率1.6倍。
(5)全方位反射膜 除出光正面之外,把其它面的出射光尽可能全反射回外延层内,最终提升从正面的出光率。
2、衬底技术：(1)衬底与外延膜层的结构匹配 两者材料的晶体结构相同或相近,则晶格常数失配小、结晶性能好、缺陷密度低;
(2)衬底与外延膜层的热膨胀系数匹配 热膨胀系数相差过大,将使外延膜生长质量下降,在器件工作过程中,还可能由于发热而造成器件的损坏;
(3)衬底与外延膜层的化学稳定性匹配 衬底材料要有好的化学稳定性,在外延生长的温度和气氛中不易分解和腐蚀,不与外延膜产生化学反应使外延膜质量下降;
(4)材料制备的难易程度及成本的高低 产业化衬底材料的制备应简洁,成本不宜很高。衬底晶片尺寸大使综合成本相对较低。
