品 名

技术要求

太阳能级单晶硅片

1、规格型号：P型,掺杂剂:硼(B)

2、尺寸：125*125±0.5mm

3、对角长度：165mm±0.5mm

4、厚度：200±20μｍ

5、中心厚度：≥185μｍ

6、电阻率：1~3Ωcm

7、少子寿命：≥10μｓ

8、损伤层：<15μｍ

9、位错密度：≤3&tiMES;10³个atoms/cm³

10、径向电阻率变化:＜15%

11、切割方式：多线切割90°

12、总厚度变化(TTV)：≤30μｍ

13、垂直度：90±0.3°

14、垂直度变化: ≤0.5mm

15、晶向：<100>±2°

16、碳含量：≤5*10¹⁶atoms/cm³

17、氧含量：≤1*10¹⁸atoms/cm³

18、翘曲度：≤40μｍ