【图】供应厦门法拉IGBT吸收电容器 MKP81 474K1200V 海量现货可开17%税

额定电压：	1200（V）	功率特性：	大功率
调节方式：	固定	标称容量：	符合（uF）
频率特性：	超高频	应用范围：	安规
型号：	MKP81 474K1200V	温度系数：	符合
允许偏差：	±10（%）	引线类型：	轴向引出线
等效串联电阻(ESR)：	符合（mΩ）	品牌：	厦门法拉
耐压值：	1600（V）	损耗：	符合
介质材料：	有机薄膜	绝缘电阻：	符合（mΩ）
外形：	长方形

产品简介：
电力电子电容器。

详细介绍：

■ 外形图

■ 特点 ●广泛应用于高压高频脉冲电路中 ●损耗小，内部温升小 ●优异的阻燃性能 ●适合作为IGBT的吸收电容 ■ 技术要求 ●引用标准：GB 14579(IEC 60384-17) ●气候类别：40/85/21 ●额定温度：85℃ ●工作温度范围：-40℃～85℃ ●额定电压：630VAC～2000VAC ●电容量范围：0.10μF—2.2μF ●电容量偏差：±5%（J）， ±10%（K） ●耐电压：1.6UR(5s) ●损耗角正切：≤0.0010(1KHz，20℃) ●绝缘电阻：≥25000MΩ, CR≤0.33μF (20℃,100V,1min) ≥7500s, CR > 0.33μF (20℃,100V, 1min)

长期现货供应全系列塑壳电容！

特点：

可靠性高
金属化聚酯膜，无感卷绕结构
塑料外壳（UL94 V-0），阻燃环氧填充

用途：

旁路，隔直，耦合，退耦
脉冲，逻辑，定时，振荡电路
低电压场合抗干扰

规格：

63V:0.22μF ~ 2.2μF
100V:0.10μF ~ 1.0μF
160V:0.10μF ~ 1.0μF
250V:0.033μF ~ 0.33μF
400V:0.010μF ~ 0.15μF
630V:0.0033μF ~ 0.068μF

技术要求

引用标准GB 7332 (IEC 60384-2)额定温度85℃额定电压63V、100V、160V、250V、400V、630V电容量偏差±5%(J)、±10%(K)、±20%(M)测试频率CR≤ 0.1μFCR> 0.1μF10kHz≤1.5%≤1.5%UR>100V≥30 000MΩ, CR≤0.33μF≥10 000 s, CR>0.33μF(20℃,100V,1min)UR(V)dv/dt (V/μs)P=7.5P=10.0P=15.0100693250152012

气候类别	55/100/56
工作温度	-55℃~105℃ (+85℃ to +105℃：decreasing factor 1.25% per ℃ for V_R(dc))
电容量范围	0.0047μF～2.2μF
耐电压	1.6U_R(5s)
损耗角正切
	1kHz		≤1.0%		≤1.0%

	100kHz		≤3.0%		-
绝缘电阻
	U_R≤100V	≥15 000MΩ, C_R≤0.33μF ≥5 000s, C_R>0.33μF				(20℃,10V,1min)
最大脉冲爬升速率(dv/dt) 若实际工作电压U比额定电压U_R低，电容器可工作在更高的dv/dt场合，这样dv/dt允许值应为右表值乘以U_R/U。

	63	5		6			2.5

	160			15			9

	400	30		30			20