该设备采用F-250/1500分子泵真空系统，为了尽量减少污染，降低真空压力，整个系统全部采用不锈钢（1Cr18Ni9Ti）材料。实际证明：从大气至10^-4Pa量级压力只需十几分钟就可以满足镀膜真空度要求。磁控溅射靶是该设备的核心部件，它的性能及技术指标很大程度上决定了溅射沉积镀膜的质量。本设备使用的磁控靶和磁性材料溅射靶，前者能沉积制备非磁性以及半导体膜；后者速率高，沉淀速率可达30A/秒，工作压力范围宽；0.3Pa至4Pa之内磁控靶可以稳定工作，电压工作范围在300伏至1000伏之间，设备配备：1.基片旋转;2.膜厚测量仪;3.质量流量控制器;4.必要时可配备基片预处理室及氩离子枪清洗装置及电阻加热装置.

Ø       极限真空压力:5&tiMES;10^-5Pa

Ø       靶直径(mm): Φ50轴向移动20

Ø       靶单位面积功率:(W/cm²)15～20

Ø       靶电源功率(W):DC1000瓦—RF500瓦

Ø       基片加热温度:0～500摄氏度可控

Ø       恢复真空抽气时间(分):从大气至5×10^-4Pa＜20

Ø       靶最大功率(W):600

Ø       基片沉积率(nm/s)(AL):3

Ø       气体流量:0～300SLM