半导体,半导体元件,半导体集成电路器件,半导体处理类技术资料(168元/全套)

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[8133-0046-0001] 大有机器件及其制造方法
[摘要] 大而轻的有机器件(32)及其制备方法。具体来说提供软(20)和硬(10)的重量轻的塑料器件。软塑料(20)可以由卷来设置。在软塑料(20)上制造金属网格(22)，以在大面积上提供电流传导性。在金属网格(22)设置透明氧化物层(24)，形成有机器件(32)的底部电极。在透明氧化物层(24)上设置发光或聚光有机层(26)。在有机层(26)上设置第二电极(28)。电极(34)与金属网格(22)和第二电极(28)偶联，提供通向或来自有机层(26)的电流。根据用于有机层(26)的材料类型，有机器件(32)可以包括区域照明器件或光电器件。
[8133-0198-0002] 用于沉积含硅薄膜的前体及其方法
[摘要] 使用下式的肼基硅烷作为氮化硅、氧化硅和氮氧化硅在基材上的硅电介质沉积的前体的方法：[r¹₂n-nh]_nsi(r²)_4-n其中各r¹独立选自c₁-c₆的烷基；各r²独立选自氢，烷基，乙烯基，烯丙基，和苯基；和n＝1-4。这些肼基硅烷的一些是新型前体。
[8133-0121-0003] 导电材料的印刷装置、印刷掩膜的清洗方法及印刷掩膜的清洗程序
一种导电材料的印刷装置、印刷掩膜的清洗方法及印刷掩膜的清洗程序，通过一边使搬送清洗用棉纱薄片(37)的未使用面与印刷掩膜(31)的转印面接触，一边使卷出辊(32)、吸引辊(33)、卷取辊(34)、溶剂供给部(36)、以及鼓风机(35)在与带状基板(21)的搬送方向相垂直的方向上一体水平移动，而沿着带状基板(21)的宽度方向对印刷掩膜(31)进行清洗。从而使焊锡软膏的印刷中所使用的印刷掩膜的清洗时间缩短。
[8133-0132-0004] 电容器及其制备方法
[摘要] 本发明关于一种半导体装置用电容器的制造方法，包含下列步骤：于基板上形成层间绝缘层；通过蚀刻层间绝缘层以形成局部露出部分基板的储存节点接触孔；形成储存节点接触点使埋入接触孔内并具有与层间绝缘层表面相同的平面位准；在层间绝缘层上形成储存节点氧化物层；通过蚀刻储存节点氧化物层而形成一露出储存节点接点的储存节点孔；通过下凹或通过局部地移除露出储存节点接点的上部部分而形成沿着向下方向呈中空形式的支撑孔；以及形成一个具有圆柱体结构且与储存节点接点电连接的储存节点。
[8133-0218-0005] 非易失性存储元件
[摘要] 本发明提供一种非易失性存储元件，其包含于一n型阱上形成共用一p掺杂区的一第一pmos晶体管包含一控制栅极及一第二pmos晶体管包含一源极、一漏极、及一浮置栅极，该方法还包含提供该第一pmos晶体管一第一偏压以使该第一pmos晶体管得以导通、提供该第二pmos晶体管一第二偏压以使该第二pmos晶体管产生一栅极电流、以及依据该第二pmos的浮置栅极与漏极之间的电位差来调整该浮置栅极与该漏极、该源极、该控制栅极、及该n型阱之间的耦合电容。
[8133-0117-0006] 激光能量自动控制系统与方法
[摘要] 本发明公开一种激光能量自动控制系统与方法。该方法包括：首先，提供一衬底。接着，测量衬底的氢含量值。然后，评估氢含量值是否小于一氢含量临界值。若氢含量大于氢含量临界值，则发出一警示信号。若氢含量不大于氢含量临界值，则测量衬底的厚度值。另外，建立各衬底厚度值与各激光能量值的一个对比表。接着，藉由对比表评估对应厚度值的一个激光能量值。最后，以激光能量值为依据施加一对应激光能量于衬底。本发明还提供实行该方法所需的系统。
[8133-0139-0007] 封装光学半导体元件的树脂，含该封装元件的设备及其制法
[摘要] 该树脂封装的光学半导体元件的一种光学半导体设备；和生产光学半导体设备的方法，用于光学半导体元件的封装的树脂，它包括具有特定结构的聚碳化二亚胺；包括用它包括将树脂放置在光学半导体元件上和加热该树脂的两个步骤。该树脂能够使光学半导体元件保持高亮度，当它是发光元件时，和保持高的光检测敏感性，当它是光检测器时，并能够使光学半导体元件容易地封装。
[8133-0195-0008] 等离子体处理装置及聚焦环
[摘要] 本发明提供可以在被处理基板的整个面上实施均匀的等离子体处理，与目前相比可以提高等离子体的面内均匀性的等胱犹宕碜爸靡约熬劢够贰ｔ诖钤匕氲继寰?w)而兼作下部电极的基座上，按照包围半导体晶片(w)的周围那样设置聚焦环(6)。聚焦环(6)由薄板状的环形部件(6a)和下侧环形部件(6b)组成，前述薄板状的环形部件(6a)按照从前述被处理基板的外周边缘部设置一定间隔而包围半导体晶片(w)的周围那样配置，前述下侧环形部件(6b)按照位于半导体晶片(w)和薄板状的环形部件(6a)之间且位于半导体晶片(w)和薄板状的环形部件(6a)下侧那样配置。
[8133-0118-0009] 具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管及其制造方法
[摘要] 本发明提出一种具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管及其制造方法。本发明的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管包括一绝缘层和多个岛状的应变硅主动层。其中，岛状的应变硅主动层设于绝缘层之上，且岛状的应变硅主动层彼此分隔。
[8133-0208-0010] 使用非易失性铁电体存储器的测试模式控制装置
[摘要] 使用非易失性铁电体存储器的测试模式控制装置，在没有特别处理的软件系统中，通过改变为存储单元测试而调节的基准电压和计时，能够对存储单元阵列特性进行精确测试。在实施例中，通过使用非易失性铁电体存储器，对测试模式和数据引线分配进行了编程，并且根据所编制的编码，在软件系统中，调节地址、控制信号和数据引线分配。结果，不需要特别处理，就可精确地测试单元阵列的特性。
[8133-0045-0011] 压电器件及其方法
[8133-0211-0012] 具有多栅极绝缘层的半导体装置及其制造方法
[8133-0153-0013] 集成电路器件及其制造方法
[8133-0049-0014] 清洁气和蚀刻气
[8133-0143-0015] 半导体器件及其制造方法
[8133-0136-0016] 半导体集成装置及其制造方法
[8133-0036-0017] 漏极开路电路的mosfet及其半导体集成电路器件
[8133-0177-0018] 发光光源、发光光源阵列和采用该发光光源的设备
[8133-0031-0019] 一种有机发光显示装置
[8133-0190-0020] 半导体衬底、其制造方法以及半导体器件的制造方法
[8133-0209-0021] 布线图形埋入检查方法、半导体器件制造方法及检查装置
[8133-0096-0022] 填胶组合物
[8133-0210-0023] 在同一层次处制造金属绝缘体金属电容器和电阻器的方法
[8133-0038-0024] 埋入栅型半导体器件
[8133-0013-0025] pmos管解决cslic1b01集成电路失效的方法
[8133-0088-0026] 氮化物半导体、其制造方法以及氮化物半导体元件
[8133-0076-0027] 处理装置和处理方法
[8133-0171-0028] 半导体器件及其制造方法
[8133-0048-0029] 电阻加热式单晶片腔室中的掺杂的硅沉积工艺
[8133-0149-0030] 半导体器件、电子设备及它们的制造方法和电子仪器
[8133-0113-0031] 在半导体装置中形成阻挡金属的方法
[8133-0098-0032] 接触连接电组件至具导体结构基板的方法
[8133-0148-0033] 半导体器件、电子设备及它们的制造方法和电子仪器
[8133-0003-0034] 硅化钴膜形成方法和具有硅化钴膜半导体装置的制造方法
[8133-0064-0035] 具氢阴障层的微电子结构
[8133-0156-0036] 非易失性半导体存储装置及其制造方法和半导体集成电路及系统
[8133-0173-0037] 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法和用于该面板的掩膜
[8133-0214-0038] 半导体器件及其制造方法
[8133-0091-0039] 具储存效应的开关装置
[8133-0071-0040] 制造发光装置的方法
[8133-0193-0041] 粘性带的施加方法及设备
[8133-0202-0042] 电子元件封装结构及其制造方法
[8133-0119-0043] 具有由氨气中侧氮化处理的多金属栅结构的栅电极的半导体器件
[8133-0204-0044] 引线接合方法及引线接合装置
[8133-0012-0045] 熔丝结构的形成方法
[8133-0044-0046] 一种制备钇钡铜氧高温超导膜的方法
[8133-0002-0047] 侧壁阻挡结构及制造方法
[8133-0131-0048] 形成金属导线的板及使用该板形成金属导线的方法
[8133-0168-0049] 改善主动式有机发光二极管的显示均匀度的方法
[8133-0170-0050] 具有存储功能的单电子晶体管及其制造方法
[8133-0163-0051] 集成电路装置
[8133-0185-0052] 半导体晶片的处理装置
[8133-0066-0053] 高频集成电路(hfic)微系统组件及其制作方法
[8133-0092-0054] 基板处理方法和装置、半导体装置的制造装置
[8133-0122-0055] 尤其用于半导体装置之壳体、半导体装置脚及脚制造方法
[8133-0033-0056] 双栅极场效应晶体管及其制造方法
[8133-0085-0057] 横向pin二极管及其处理方法
[8133-0082-0058] 用于判定加工层膜均匀性的方法及装置
[8133-0151-0059] 半导体器件及其制作方法
[8133-0166-0060] 半导体晶片，固态成像器件和光学器件模块及二者的制造方法
[8133-0180-0061] 元件形成用衬底及其制造方法和半导体装置
[8133-0141-0062] 半导体器件及其制造方法
[8133-0029-0063] 具有冗余功能的半导体装置
[8133-0093-0064] 蚀刻液组合物
[8133-0062-0065] 沉积方法、沉积设备、绝缘膜及半导体集成电路
[8133-0001-0066] 铁电薄膜及其形成方法
[8133-0137-0067] 覆晶封装结构
[8133-0147-0068] 半导体芯片及其制作方法
[8133-0019-0069] 负热膨胀系统器件及微电子封装中的导电弹性体互连
[8133-0133-0070] 半导体装置的制造方法
[8133-0157-0071] 铁电电容器及其制造方法
[8133-0217-0072] 集成半导体装置及其制造方法
[8133-0199-0073] 激光辐照方法，用于制造半导体器件的方法，以及激光辐照系统
[8133-0120-0074] 具有出色抗水能力的半导体器件
[8133-0067-0075] 无焊剂倒装芯片互连
[8133-0175-0076] 硅光电器件及其制造方法以及图像输入和/或输出设备
[8133-0176-0077] 表面粘着型发光二极管的制造方法
[8133-0069-0078] 具铅直mos晶体管之dram胞元排列及其制造方法
[8133-0102-0079] 电气元件的基片及其制造方法
[8133-0158-0080] 具有拼合顶板结构的铁电记忆体装置及其制造方法
[8133-0056-0081] 半导体集成电路
[8133-0135-0082] 具有在位线方向延伸以接触存储节点的接触体的半导体器件的制造方法
[8133-0053-0083] 以沉积工艺将互连区域选择性合金化的方法
[8133-0154-0084] 半导体电路装置以及该电路仿真方法
[8133-0015-0085] 用于校验受研究系统的完整模型的属性的方法和系统
[8133-0112-0086] 抛光垫及制造半导体器件的方法
[8133-0017-0087] 制造带有纳米点的存储器的方法
[8133-0059-0088] 用于双栅极逻辑器件的中间制品
[8133-0034-0089] 半导体装置及半导体装置的制造方法
[8133-0107-0090] 半导体装置的制造设备的清洁方法
[8133-0041-0091] 高晶格匹配性的发光元件
[8133-0130-0092] 具有多层布线层的半导体器件及其制造方法
[8133-0070-0093] 宽光谱含铽石榴石磷光体及其结合构成的白色光源
[8133-0109-0094] 硅化铁和光电换能器的制造方法
[8133-0138-0095] 半导体器件和半导体器件的制造方法
[8133-0115-0096] 用于改善铜金属层对势垒层的粘附性的半导体器件制造方法
[8133-0178-0097] 一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
[8133-0024-0098] 半导体装置及其制造方法
[8133-0083-0099] 具有电镀电阻器的印刷电路板的制造方法
[8133-0111-0100] 湿式处理装置
[8133-0124-0101] 半导体集成电路装置及其检查方法和制造方法
[8133-0167-0102] 固体摄像元件及其驱动方法
[8133-0042-0103] 氮化镓基ⅲ-ⅴ族化合物半导体led的发光装置及其制造方法
[8133-0023-0104] 电路装置及其制造方法
[8133-0150-0105] 高品质因子的电感和制造方法
[8133-0161-0106] 半导体内存组件及其制造方法
[8133-0073-0107] 第ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件
[8133-0095-0108] 强电介体薄膜的制造方法
[8133-0187-0109] 半导体晶片的覆晶凸块制造方法
[8133-0216-0110] 半导体装置的制造方法及半导体装置
[8133-0179-0111] 半导体加工机床检测的自动化管理系统及方法
[8133-0079-0112] 化学机械抛光装置用晶片定位环
[8133-0165-0113] 光器件的制造方法
[8133-0169-0114] 电荷传送元件
[8133-0159-0115] 强电介质薄膜及其制造方法、强电介质存储元件、强电介质压电元件
[8133-0186-0116] 应用于集成电路的图案化的方法
[8133-0104-0117] 半导体装置及其制造方法
[8133-0134-0118] 制作dram的存储单元的方法
[8133-0183-0119] 半导体器件的制造方法以及半导体器件
[8133-0022-0120] 半导体器件及其制造方法
[8133-0127-0121] 浅沟渠隔离结构的制造方法
[8133-0125-0122] 容纳及电接触个别分离晶元的载具
[8133-0206-0123] 在基体上排列和连接焊料柱的方法和装置
[8133-0155-0124] 半导体器件
[8133-0174-0125] 新型硅pn结光电二极管
[8133-0116-0126] 激光退火装置及其应用
[8133-0020-0127] 用于在其上安装电子器件的薄膜载带
[8133-0129-0128] 有布线连接结构的电子器件的制造方法
[8133-0051-0129] 具有带倒圆拐角孔之导电材料的微电子基板及去除导电材料的相关方法
[8133-0040-0130] 半导体器件及其制造方法
[8133-0196-0131] 低温液相沉积法以及液相沉积设备的清理方法
[8133-0126-0132] 半导体器件及其制造方法
[8133-0009-0133] 晶片平坦度评价方法、实行该评价方法的装置及其应用
[8133-0192-0134] 压印制造方法、其制造装置、磁记录媒体的制造方法及其制造装置
[8133-0140-0135] 半导体器件及其制造方法、电路基板和电子设备
[8133-0212-0136] 半导体器件的制造方法
[8133-0027-0137] 电路装置及其制造方法
[8133-0182-0138] 金属元件、半导体器件、电子器件和电子设备及其制法
[8133-0181-0139] 半导体器件及其制造方法
[8133-0099-0140] 基板台及其制造方法以及等离子体处理装置
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[8133-0016-0142] 存储器的制造方法
[8133-0050-0143] 干蚀刻方法
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[8133-0008-0145] 集成电路的次品的检测方法
[8133-0075-0146] 可溶物质的淀积
[8133-0006-0147] 圆片测试参数分析方法
[8133-0087-0148] 氮化物半导体元件
[8133-0189-0149] 半导体装置的制造方法
[8133-0014-0150] 模拟和射频集成电路的物理设计方法
[8133-0032-0151] 半导体器件及其制造方法
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[8133-0114-0158] 电子部件和半导体装置、其制造方法和装配方法、电路基板与电子设备
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[8133-0142-0165] 半导体器件及其制造方法
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[8133-0205-0173] 安装电子器件的薄膜型载带及使用该载带的最后缺陷标记方法
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[8133-0055-0185] 半导体装置及其制造方法
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