半导体,半导体集成电路器件,半导体元件,半导体功率类技术资料(168元/全套)

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[8178-0151-0001] 结构化保护层和绝缘层的制备
[摘要] 一种制备结构化保护层和绝缘层的方法，该方法包括：在基体上涂覆一种光敏性多羟基酰胺或者多羟基酰亚胺的溶液并干燥，借助于掩膜通过紫外光或者ｘ射线的照射使该涂层具有一定的结构，或者通常紫外线或者电子射线的导入并通过随后的含水碱性显影使该涂层具有一定的结构，使用紫外光照射结构化涂层的整个平面，然后退火。
[8178-0061-0002] 形成半导体器件中的自对准接触的方法
[摘要] 本发明公开了一种半导体器件中的自对准接触焊盘及其形成方法，其中ｓａｃ开口与栅间隔层同时形成。形成其上具有栅电极和帽盖层的叠置栅图形之后，淀积用于栅间隔层的绝缘层。在该绝缘层上淀积层间绝缘层。该层间绝缘层具有相对于帽盖层和绝缘层的腐蚀选择性。在层间绝缘层中进行ｓａｃ开口，并同时形成栅间隔层。
[8178-0152-0003] 制造半导体器件的方法
一种制造半导体器件的方法，其中在半导体衬底上形成具有存储电极的电容器。该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成硅膜，同时形成第一和第二端点标记层，用于通过采用与硅膜材料不同的材料将硅膜在厚度方向上分成三部分；对包括第一和第二端点标记层的硅膜进行蚀刻；以及根据蚀刻材料的类型控制对硅膜的蚀刻深度，从而形成存储电极。
[8178-0076-0004] 用于半导体装置中的绝缘膜和半导体装置
[摘要] 提供了一种具有低介电常数且其性能足以胜任作为半导体装置的中间层绝缘膜的一种绝缘膜，和使用该绝缘膜的半导体装置。$用作半导体装置的中间层绝缘膜的一种半导体装置绝缘膜，该绝缘膜主要由聚－α，α－二氟亚对二甲苯组成并具有２．１—２．７的相对介电常数。用作半导体装置的中间层绝缘膜的一种半导体装置的绝缘膜，该绝缘膜主要由聚α，α－二氟亚对二甲苯组成和具有０．４—０．９的台阶覆盖率。能够填充缝隙的用于半导体装置的绝缘膜，该绝缘膜主要由聚α，α－二氟亚对二甲苯组成，和其深度（ｄ）和开口宽度（ｌ）之比（ｄ／ｌ）是１或１以上。
[8178-0027-0005] 半导体光电探测器及其制造方法
[摘要] 一种半导体光电探测器，因为与入射光高度耦合而具有高的量子效率，并且因为减小了ｐｎ结的面积而工作在较高频率下。在本发明的半导体光电探测器中，反射层被淀积在一个方形的波导的一对平行的表面上，而光吸收层则淀积在至少另一对平行的表面上，这对表面是其余表面中的平行表面对之一。
[8178-0114-0006] 半导体装置中的布线图形的自动配置
[摘要] 一种生成半导体装置的核的方法，包括设置虚拟块（１０）的步骤，该虚拟块（１０）具有连接到所述核之外的外部电路的外部布线上的接点（１４）。此外，该生成半导体装置的核的方法包括在所述虚拟块（１０）中设置布线禁止区（１５）的步骤。配置在该核内的内部布线（１７）与接点（１４）的连接在所述布线禁止区（１５）中是被禁止的。再者，该生成半导体装置的核的方法包括在该核内至少配置所述虚拟块（１０）的所述接点（１４）的步骤。
[8178-0073-0007] 采用条纹图形的覆盖测定技术
[摘要] 一种测定半导体器件制造过程中在晶片上进行的两个掩蔽工序之间不对齐的方法，先在掩蔽工序使用的两个掩模上分别配备特殊的对齐图形，再将对齐图形的各影象彼此重叠起来，形成条纹图形。将条纹图形与已知的对应于掩模不对齐的特定量的其它条纹图形相比较，看其是否对应于容许的对齐情况。
[8178-0035-0008] 半导体器件的制造方法
[摘要] 一种半导体器件的制造方法，可消除半导体器件制造时因对准偏差引起的工序缺陷，使工序简化。本方法包括工序：在衬底上形成栅电极，在栅电极两侧壁上形成隔离层，在栅电极两边侧衬底内部形成源—漏用有源区域，在衬底面上形成绝缘膜，对绝缘膜刻蚀处理、仅在ｄｒａｍ单元形成部的栅电极间的有源区域表面自对准地留下绝缘膜，在ｄｒａｍ单元形成部的栅电极表面及以外的任意区域的栅电极和有源区域表面分别形成硅化物膜。
[8178-0094-0009] 半导体器件布线布局方法及存储所用程序的介质
[摘要] 估算元件数、元件面积、元件间布线区、及最小必需电源布线层区，根据估算结果确定芯片面积和芯片区。在芯片区上设置元件，并形成连接元件的布线，此后，确定连接到各元件且相对设置成在芯片厚度方向上彼此隔开的电源布线层和接地布线层的形状。将电源布线层和接地布线层设计成使两者间的中间区尽可能地大。
[8178-0138-0010] 动态随机存取存储器单元装置和其制造方法
[摘要] 一种存储单元包括至少三个垂直的晶体管，一个第一晶体管和一个第二晶体管或者一个第三晶体管是针对一个垂直于基片（１）一个表面（ｏ）分布的ｙ轴（ｙ）相叠布置的。第二晶体管和第三晶体管可以是布置在半导体结构（ｓｔ）各相对而处的侧面上的，而第一晶体管是布置在两个侧面上的。各晶体管的各源／漏区可以重叠。
[8178-0064-0011] 带有通孔从焊球键合位置侧向偏移的tab带球栅阵列封装
[8178-0149-0012] 带半球形晶粒的电容器的制造方法
[8178-0096-0013] 半导体器件及其制造方法
[8178-0097-0014] 双镶嵌式自对准通路互连
[8178-0209-0015] 半导体图象传感器的结构及其制造方法
[8178-0025-0016] 自对准非易失性存储单元
[8178-0080-0017] 半导体装置的制造方法
[8178-0198-0018] 制造集成电路的化学机械研磨方法及其装置
[8178-0059-0019] 步进分析方法和系统
[8178-0193-0020] 测试集成电路芯片的探针卡
[8178-0077-0021] 层间介电层平坦化制造方法
[8178-0154-0022] 硅基片及其制造方法
[8178-0202-0023] 超浅半导体结的制作
[8178-0155-0024] 单片多层压电驱动器及其制造方法
[8178-0140-0025] 半导体器件、静电放电保护元件及防护绝缘击穿的方法
[8178-0116-0026] 碳化硅上的锇整流肖特基和欧姆连接以及w/wc/tic欧姆接触
[8178-0191-0027] 集成电路中阻止深结注入和硅化物形成的间隔物
[8178-0179-0028] 半导体器件及其制造方法
[8178-0053-0029] 插塞的制造方法
[8178-0207-0030] 具有选择性生长接触焊盘的半导体器件
[8178-0031-0031] 半导体装置
[8178-0055-0032] 形成没有凹陷的沟槽隔离的方法
[8178-0040-0033] 制造半导体器件的方法
[8178-0091-0034] 模压球栅阵列型半导体器件及其制造方法
[8178-0164-0035] 简化三维沟道电容器动态随机存取存储器的方法
[8178-0168-0036] 多晶硅的腐蚀方法和腐蚀装置
[8178-0036-0037] 半导体集成电路器件和制造半导体集成电路器件的方法
[8178-0043-0038] 具有高耦合率永久性存储器及其制造方法
[8178-0085-0039] 固态成像器件及其制造方法
[8178-0183-0040] 减小半导体器件中的寄生漏电
[8178-0106-0041] 光电功率产生盖顶及其安装方法
[8178-0007-0042] 电容元件及其制造方法
[8178-0074-0043] 用于半导体器件中的接触故障检测的装置和方法
[8178-0213-0044] 用于传热增强连接件的方法和装置
[8178-0017-0045] 用于制造半导体器件的触点的方法
[8178-0104-0046] 太阳能电池组件及系统,带太阳能电池的外罩及安装方法
[8178-0134-0047] 压电元件
[8178-0092-0048] 带有导热支持元件的电子封装件
[8178-0047-0049] 使用保护夹具固定脆性导电引线的方法和装置
[8178-0026-0050] 芯片模块及制造芯片模块的方法
[8178-0029-0051] 绝缘栅晶体管、其制造方法和半导体集成电路器件
[8178-0021-0052] 制造半导体薄膜的方法及其所用设备
[8178-0048-0053] 制造铁电存储器件的方法
[8178-0201-0054] 制造半导体器件的方法
[8178-0173-0055] 半导体处理器件仿真方法和存储仿真程序的存储介质
[8178-0203-0056] 半导体器件生产方法
[8178-0115-0057] 对准键合机或拾放机的焊头的方法和装置
[8178-0004-0058] 氮化镓单晶衬底及其制造方法
[8178-0163-0059] 用于改善层厚控制的缓冲层
[8178-0010-0060] 皇冠型电容结构的制造方法
[8178-0024-0061] 用于双向光学数据传输的光电模块
[8178-0042-0062] 快闪电性可抹除只读存储器
[8178-0003-0063] 形成微晶硅系列薄膜的工艺和适于实施所述工艺的装置
[8178-0117-0064] 半导体器件及其生产方法
[8178-0012-0065] 半导体器件及其制造方法
[8178-0144-0066] 半导体图象传感器及其制造方法
[8178-0082-0067] 亚四分之一微米级硅－绝缘体的mos场效应晶体管
[8178-0063-0068] 集成电路封装用的芯片级球形格栅阵列
[8178-0009-0069] 形成随机存取存储器单元阵列的埋藏式电容阵列的方法
[8178-0105-0070] 光电子元件与用于制造的方法
[8178-0062-0071] 热平衡射频功率晶体管的均匀镇流电阻
[8178-0016-0072] 晶片抛光设备及晶片抛光用衬垫
[8178-0084-0073] 半导体器件及其制造方法
[8178-0127-0074] 电荷耗散场发射器件
[8178-0051-0075] 可擦除可编程只读存储器隧穿氧化物单元的制造方法
[8178-0050-0076] 快闪存储器分离栅极结构的制造方法
[8178-0210-0077] 半导体器件及其制造方法
[8178-0158-0078] 多颜色发光二极体
[8178-0056-0079] 形成集成电路的方法
[8178-0146-0080] 清洁盒
[8178-0194-0081] 集成电路布线工艺
[8178-0039-0082] 在铝/铜金属线路上除去活性离子蚀刻后的聚合物
[8178-0178-0083] 限流器
[8178-0034-0084] 可再制的热塑性封装材料
[8178-0124-0085] 光掩膜及其曝光方法
[8178-0137-0086] 光电转换装置和图象传感器
[8178-0022-0087] 碳化硅衬底及其制造方法以及使用碳化硅衬底的半导体元件
[8178-0190-0088] 半导体器件及其制造方法
[8178-0182-0089] 介质分隔式半导体器件
[8178-0160-0090] 半导体装置
[8178-0013-0091] 用于对物体进行视觉检测的方法和装置
[8178-0218-0092] 具有亚芯片规模封装构造的半导体器件及其制造方法
[8178-0107-0093] 在阱区间无台阶的半导体器件
[8178-0187-0094] 半导体器件
[8178-0083-0095] 具有阻挡层的断路闸流管
[8178-0109-0096] 具有两对晶体管和一对负载元件的静态存储单元
[8178-0090-0097] 压装在印刷电路板孔内从集成电路到散热器传热的导热基片
[8178-0135-0098] 提高长期稳定性的有机电场致发光器件
[8178-0148-0099] 用于布线的铝膜形成方法
[8178-0206-0100] 金属绝缘体半导体类型的半导体器件及其制造方法
[8178-0087-0101] 半导体存储器件及其制造方法
[8178-0095-0102] 半导体器件的制造方法
[8178-0129-0103] 半导体器件及其使用的多层引线框架
[8178-0169-0104] 梯形多晶硅插塞及其制造方法
[8178-0145-0105] 制造半导体器件的方法
[8178-0054-0106] 插塞的制造方法
[8178-0121-0107] 制造卡产品的方法及制造装置
[8178-0195-0108] 利用有选择的外延生长方法的半导体器件制造方法
[8178-0066-0109] 超快速相变的有机电双稳器件
[8178-0142-0110] 制作bicmos半导体器件的方法
[8178-0122-0111] 用铜布线膜生产半导体器件的方法
[8178-0075-0112] 选择性金属层的形成方法及其应用
[8178-0205-0113] 固态成像装置
[8178-0020-0114] 半导体装置、半导体芯片装载用基板、它们的制造方法、粘合剂和双面粘合膜
[8178-0028-0115] 具光检测电路的光电集成电路及其制造方法
[8178-0018-0116] 掩模的制造方法
[8178-0046-0117] 带有用于焊料块的基底阻挡膜的半导体器件及其制造方法
[8178-0196-0118] 钛膜形成方法
[8178-0171-0119] 用于准确地转换非均匀厚度光刻胶层中的潜像的工艺
[8178-0197-0120] 用于集成电路器件制造的先进介电材料和工艺
[8178-0112-0121] 半导体存储器
[8178-0165-0122] 金属化系统
[8178-0161-0123] 半导体器件及其制造方法
[8178-0100-0124] 等离子体处理装置及等离子体处理方法
[8178-0113-0125] 互补型金属氧化物晶体管半导体器件及其制造方法
[8178-0125-0126] 控制半导体设备的方法
[8178-0088-0127] 半导体集成电路
[8178-0186-0128] 半导体器件
[8178-0037-0129] 超密集动态随机存取存储单元及其制造方法
[8178-0001-0130] 改善高崩溃电压的半导体功率整流器电压突降的方法
[8178-0159-0131] 光电元件以及由其组成的组件
[8178-0081-0132] 发光二极管装置及其制造方法
[8178-0099-0133] 制造具有多层布线层的半导体装置的方法
[8178-0177-0134] 半导体芯片用的载体元件
[8178-0078-0135] 具有缺陷祛除区的半导体
[8178-0103-0136] 压电谐振器和包括它的电子元件
[8178-0162-0137] 半导体集成电路的衬底和半导体集成电路的制造方法
[8178-0200-0138] 通过电子束辐射制作绝缘膜线路图形的方法
[8178-0068-0139] 热沉及带热沉的存储器模块
[8178-0131-0140] 用于保持和保护半导体晶片的设备和方法
[8178-0070-0141] 半导体器件的制造方法
[8178-0008-0142] 半导体器件
[8178-0133-0143] 通过采用光滑底电极结构具有改进的存储保持的薄膜铁电电容器
[8178-0002-0144] 半导体器件及其制作方法
[8178-0216-0145] 具有晶片预行预烧的半导体元件与方法
[8178-0123-0146] 一种用于生产具有双重波纹结构的半导体器件的方法
[8178-0041-0147] 电子电路
[8178-0120-0148] 具有掺杂多晶硅层构成的互连的半导体器件的制造方法
[8178-0057-0149] 制造具有不同栅氧化物层的半导体器件的方法
[8178-0072-0150] 形成半导体器件槽隔离的方法
[8178-0181-0151] 半导体器件及其制造方法
[8178-0071-0152] 半导体器件
[8178-0130-0153] 电子部件和半导体装置及其制造方法、电路基板及电子设备
[8178-0102-0154] 半导体器件及其制造方法
[8178-0175-0155] 耐腐蚀及耐气候的分层结构
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[8178-0032-0157] 半导体存储器电路
[8178-0139-0158] 互补金属氧化物半导体器件
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[8178-0184-0161] 非易失ｐ沟道金属氧化物半导体二晶体管存储单元和阵列
[8178-0006-0162] 电容元件及其制造方法
[8178-0136-0163] 半导体器件及其制造方法
[8178-0189-0164] 半导体器件
[8178-0060-0165] 制造半导体存储器件的电容器的方法
[8178-0014-0166] 半导体器件和半导体器件的制作方法
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