半导体,半导体元件,半导体衬底,半导体存储类技术资料(168元/全套)

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[8175-0047-0001] 热电元件的制造方法
[摘要] 本发明是制造热电元件的方法，该方法如下，分别留下厚度方向的一部分，按照相同的间隔制作平行地形成了多个槽（１６、２６）的n型热电半导体的开槽块(１１）以及p型热电半导体的开槽块（２１），使该n型和p型热电半导体的开槽块（１１、２１）相互嵌套，在其嵌套部分的缝隙中充填具有粘接性的绝缘材料进行粘合，形成一体化块（３）。除去该一体化块（３）中的n型和p型热电半导体相互嵌套着的嵌套部分以外的部分，使得n型以及p型热电半导体单元露出来，形成把该各热电半导体单元相互串联连接的电极。进而，在该上述一体化块（３）上，留下厚度方向的一部分，沿着与上述槽（１６、２６）的方向相交叉的方向上进行多个槽加工，在该槽加工部分中充填绝缘材料并使其固化以后，最好进行使上述半导体单元露出来的工艺和形成电极的工艺。
[8175-0179-0002] 高速变深度刻蚀方法及其装置
[摘要] 高速变深度刻蚀方法及其装置是将确定的参数量输入给微机，微机按自编程序控制双束栏片的运动方向、每次行走的步数、行走一定步数后的停留时间和中断等；步进电机驱动器受微机运行程序控制的工作指令为简单的开关量，由束栏片移动程序控制各小台阶暴露离子束的总时间实现多种深度变化特性不同的刻蚀过程；本发明优点是高速精确，成本低。
[8175-0217-0003] 多芯片模块
本发明揭示一种多芯片模块，其中，ｉｃ裸片２０１－２０３分别装于印制电路板１００的区域１０１－１０３，该电路板外周面的外电极焊盘１０５焊接母板等。该外电极焊盘１０５、引线焊盘１０７之间由电路线条１０９、贯通孔１１１和填隙通孔１１２进行连接；还在不必绝缘的ｉｃ裸片２０１、２０２的模片贴合面上设置电路线条１０９。
[8175-0100-0004] 球栅阵列半导体封装
[摘要] 一球栅阵列半导体封装包括一个半导体芯片，至少一个具有一端固定于半导体芯片且另一端以一预定的角度弯曲的引线框，一个将弯曲的引线框与形成于半导体芯片之上电极端口相连接的金属线，一个固定于弯曲的引线框的弯曲的端部的第一焊块，及一个密封半导体芯片，引线框和金属线的树脂模并使焊块的侧面暴露于树脂膜之外。
[8175-0092-0005] 槽形栅静电感应器件
[摘要] 一种槽形栅静电感应器件，包括下层为型低阻层、上层为ｎ－型高阻层的硅衬底片、源区及源电极金属层、栅区及栅电极、漏区及漏电极金属层，硅衬底片的上表面是ｎ＋型源区，硅衬底片的上表面上开有多于一条的槽，每条槽的底部是ｐ＋型栅区，硅衬底片的下层低阻层是漏区，漏区的下面是漏电极金属层，源区的上面连接掺磷多晶硅层，该掺磷多晶硅层与源电极金属层连接，每条槽的底面和侧面覆盖绝缘层，侧面绝缘层的上面连接掺磷多晶硅层。它可以提高电流密度、改善电流均匀性、降低工艺难度、减少生产成本。它用于集成电路制造业。
[8175-0114-0006] 半导体集成电路及其制造方法
[摘要] 在混装ｆｒａｍ的ｌｓｉ中，使ｐt电极和电容器加工容易，减少形成布线层的工序次数和器件的台阶高度差，使布线变得容易，介质膜特性不退化。本发明具备有埋入到第１绝缘膜挖进的第１槽内使表面平坦化的第１电极３a；在第１绝缘膜上淀积的第２绝缘膜４；对应于第１电极的上部在向第２绝缘膜内挖进的第２槽内依次进行淀积后使表面平坦化的强电介质膜５a和第２电极６a，具有由第１电极、强电介质膜和第２电极构成的强电介质电容器部分。
[8175-0051-0007] mis半导体器件及其制造方法
[摘要] 本发明涉及采用低温工艺制造高可靠性的ｍｉｓ半导体器件。公开了一种制造ｍｉｓ半导体器件的方法，其中，在半导体基片或者半导体薄膜中有选择地形成掺杂区，于是采取预防措施，以便激光或者相当的高强度光能照射到掺杂区和其相邻的有源区之间的边界，并且从上面照射激光或者相当的高光强的光，而达到激活的效果。
[8175-0021-0008] ⅲ－ⅴ/ⅱ－ⅵ族半导体界面的制备方法
[摘要] 一种在诸如激光二极管的ⅱ－ⅵ族半导体器件中重复制备具有较低堆垛层错密度的ｇaａs／ｚnｓe和其它ⅲ－ⅴ／ⅱ－ⅵ族半导体界面的方法。该方法包括提供至少包括ⅲ族元素源（６８，１７０）、ⅱ族元素源（７２，９２’）、ⅴ族元素源（７０，１７２）和ⅵ族元素源（７４，９８’）的分子束外延（ｍｂｅ）系统(５０，１５０）。把具有其上待制介面的ⅲ－ⅴ族半导体表面的半导体衬底（１２）定位在ｍｂｅ系统（５０，１５０）中。然后，将衬底（１２）加热到适合ⅲ－ⅴ族半导体生长的温度，并在衬底的ⅲ－ⅴ半导体表面上生长晶状ⅲ－ⅴ族半导体缓冲层。然后，将半导体衬底的温度调节到适合ⅱ－ⅵ族半导体生长的温度，并通过交替束外延在ⅲ－ⅴ族缓冲层上生长晶状ⅱ－ⅵ族半导体缓冲层。操作ⅱ族源和ⅵ族源，使ⅲ－ⅴ族缓冲层暴露于ⅵ族元素束流之前暴露于ⅱ族元素束流。
[8175-0053-0009] 功能模块模型和流水线电路合成方法及流水线电路装置
[摘要] 一种功能模块模型包括表示流水线寄存器可插入的位置的表示分割线ｌｉｎｅｌ－ｌｉｎｅ４的分割线数据和由分割线划界的分割区域block1～block5中表示延迟和面积的折衷选择关系的延迟面积数据。使用该功能模块模型,从表示分割线数据的分割线中选择流水线寄存器的插入位置,同时,从延迟面积数据表示的延迟和面积的折衷选择关系中设定延迟和面积，合成面积最小的流水线电路。该流水线电路的合成中可实现最合适的流水线化。
[8175-0180-0010] 基片处理装置,基片支承装置,基片处理方法和基片制造方法
[摘要] 一种使两个基片重叠和接触的基片处理装置，包括：一用于支承第一基片的支承装置；一加压装置用于将第二基片压在由所述支承装置的支承的第一基片上，其特征在于：在第一基片的预定部分被弯曲与第二基片分离和第一基片不被弯曲的同时，所述支承装置能支承第一基片。还包括基片支承装置，基片处理方法，基片制造方法。
[8175-0015-0011] 半导体装置
[8175-0012-0012] 在玻璃衬底上形成结晶半导体薄膜
[8175-0082-0013] 半导体器件及其制造方法
[8175-0098-0014] 球格阵列集成电路元件的印刷电路基板承载盘
[8175-0110-0015] 有机电致发光器件及其制备方法
[8175-0073-0016] 半导体器件及其制作方法
[8175-0177-0017] 双极型静态感应晶体管的制造方法
[8175-0055-0018] 集成电路组件和半导体元件
[8175-0023-0019] 用于半导体加工设备的形状记忆合金顶升杆
[8175-0173-0020] 结构形成方法
[8175-0102-0021] 热可靠性能改善的半导体装置
[8175-0112-0022] 带有阻性耦合浮栅的铁电存储晶体管
[8175-0195-0023] 用于晶片上金属熔丝段线性排列的方法
[8175-0096-0024] 在电路中形成扫描路径的可试验性方法的设计
[8175-0120-0025] 使用水蒸气中和离子束的系统和方法
[8175-0172-0026] 动态随机存取存储器结构及其制造方法
[8175-0215-0027] 增进多晶硅电阻稳定性的结构及其方法
[8175-0085-0028] 光刻胶喷涂的装置及其方法
[8175-0144-0029] 一种半导体器件及其生产方法
[8175-0088-0030] 具有倾斜pn结的双极型soi器件及制造这种器件的方法
[8175-0031-0031] 多层安装衬底上的表面安装式半导体封装
[8175-0148-0032] 一种用于表面工艺多晶硅结构释放的工艺
[8175-0020-0033] 半导体元件、及其驱动方法和驱动装置
[8175-0016-0034] 半导体器件的制造方法
[8175-0137-0035] 通过具不同击穿电压的场效应晶体管释放电流的保护电路
[8175-0058-0036] 半导体器件的制造方法
[8175-0133-0037] 非易失性半导体存储器
[8175-0070-0038] 半导体装置和用于半导体装置的布线带
[8175-0089-0039] 半导体装置及其制造方法
[8175-0198-0040] 光检测器
[8175-0090-0041] 半导体芯片的小型化
[8175-0140-0042] 具有高辐射特性的半导体器件及其制造方法
[8175-0116-0043] 带保护电路的半导体器件
[8175-0189-0044] 驱动图像传感器的方法
[8175-0175-0045] 卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法
[8175-0049-0046] 电子功率模块和包括多个所述模块的电子功率系统
[8175-0147-0047] 防止器件出现化学机械抛光诱发缺陷的方法
[8175-0028-0048] 具有金属－绝缘体－金属电容的半导体器件
[8175-0212-0049] led装置
[8175-0199-0050] 半导体装置及其制造方法
[8175-0029-0051] 减少了衬底缺陷的cmos集成电路
[8175-0103-0052] 电荷存储结构的制造方法
[8175-0162-0053] 用bpsg回流去除cmp划痕的方法和用其制成的集成电路芯片
[8175-0034-0054] 用于机动车的传感器安装结构
[8175-0201-0055] 半导体器件的制造方法,冲压模具,导轨
[8175-0123-0056] 半导体器件的生产方法
[8175-0001-0057] 形成多个不同深度接触窗的方法
[8175-0196-0058] 半导体器件
[8175-0105-0059] 等离子体处理方法及设备
[8175-0113-0060] 半导体器件
[8175-0030-0061] 半导体存储器
[8175-0119-0062] 制作半导体存贮器件的电容器下电极的方法
[8175-0139-0063] 半导体器件
[8175-0169-0064] 用于多芯片封装的引线框及其制造方法
[8175-0129-0065] 保护性陶瓷材料的应用
[8175-0040-0066] 腐蚀工艺中减少装载变化的方法
[8175-0076-0067] 结构形成方法
[8175-0078-0068] 立方晶体氮化物半导体器件及其制造方法
[8175-0071-0069] 存储器单元的布局图
[8175-0095-0070] 非易失性半导体存储装置及其生产方法
[8175-0192-0071] 电荷耦合器件型固态摄象器件
[8175-0003-0072] 成膜设备和形成结晶硅薄膜的方法
[8175-0035-0073] 劈栅闪速存储单元的制造方法
[8175-0161-0074] 能改善平面化的半导体器件的制造方法
[8175-0214-0075] 压电致动器、红外线传感器和压电光偏转器
[8175-0209-0076] 集成半导体电路
[8175-0060-0077] 半导体或绝缘材料层的机械-化学新抛光方法
[8175-0074-0078] 半导体器件的制造方法和制造设备
[8175-0086-0079] 制造半导体器件的清洗组合物和用其制备该器件的方法
[8175-0052-0080] 固态成象器件及其驱动方法
[8175-0159-0081] 卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法
[8175-0004-0082] 聚合物发光二极管
[8175-0190-0083] 光电元件及其制备方法
[8175-0128-0084] 采用微掺杂漏极结构的半导体器件及其制备方法
[8175-0045-0085] 双镶嵌结构
[8175-0059-0086] 半导体内阻挡层的制造方法和有这种阻挡层的半导体元件
[8175-0150-0087] 半导体装置及其制造方法、电路基板和电子设备
[8175-0043-0088] 用牺牲可流动氧化物双嵌埋形成多共面金属/绝缘膜的方法
[8175-0065-0089] 半导体存储器
[8175-0131-0090] 双向功率半导体元件
[8175-0115-0091] 组合基片只读存储器及其制造方法
[8175-0036-0092] 集成电路及其制造方法
[8175-0097-0093] 搭载有dram的半导体集成电路
[8175-0067-0094] 激光烧断保险丝用的保护层
[8175-0068-0095] 半导体装置及半导体装置的引线框架
[8175-0184-0096] 磁性元件和使用这种磁性元件的磁头和磁存储器
[8175-0216-0097] 改进的激光熔丝连接及其制造方法
[8175-0048-0098] 高功率微波混合集成电路
[8175-0170-0099] 具有交替的长焊盘和短焊盘的半导体器件
[8175-0027-0100] 有高介电常数的电介质和厚电极的电容器及其制造方法
[8175-0166-0101] 生产薄膜的方法及实施该方法的装置
[8175-0044-0102] 预备带电粒子束绘图数据的方法以及记录其程序的记录介质
[8175-0132-0103] 驱动固态图像传感器的方法
[8175-0010-0104] 表面微机械的多次局部氧化
[8175-0135-0105] 存储单元及备有该存储单元的非易失性半导体存储器
[8175-0174-0106] 半导体装置及其制造方法
[8175-0152-0107] 介电陶瓷组合物及使用该组合物的叠层陶瓷电容器
[8175-0005-0108] 热电装置
[8175-0156-0109] 具有绝缘栅极的半导体器件及其制造方法
[8175-0025-0110] 半导体器件及其生产方法
[8175-0183-0111] 使用导电针用于光掩模的抗静电方法
[8175-0007-0112] 有机材料制备的场致发光装置
[8175-0033-0113] 高频集成电路装置及其制造方法
[8175-0014-0114] 具有弯曲栅电极的半导体器件及其制造工艺
[8175-0072-0115] 制造具有半球形颗粒的半导体器件的工艺
[8175-0143-0116] 检验集成电路引线的设备和方法
[8175-0202-0117] 晶体管的制造方法
[8175-0011-0118] 用于半导体器件或液晶器件生产过程的清洁剂
[8175-0019-0119] 抛光装置
[8175-0064-0120] cmos装置
[8175-0163-0121] 卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法
[8175-0142-0122] 半导体器件制造方法
[8175-0046-0123] 用于将一种保护膜贴敷在一半导体晶片上的方法和装置
[8175-0057-0124] 半导体器件的制造方法
[8175-0188-0125] 氮化镓系ⅲ-ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法
[8175-0210-0126] 斜屋顶用光电装置
[8175-0084-0127] 芯片封装装置
[8175-0118-0128] 半导体基板和层叠的半导体封装及其制作方法
[8175-0121-0129] 用于光刻法的孔装置及其制造方法
[8175-0024-0130] 用单个掩模形成互补阱和自对准槽的方法
[8175-0002-0131] 具有改进栓塞电导率的层叠电容器
[8175-0006-0132] 热电元件及其制造方法
[8175-0213-0133] 有源矩阵显示器及其制造方法
[8175-0026-0134] 传感器系统和制造方法以及自测方法
[8175-0181-0135] 对准方法
[8175-0204-0136] 基片清洗方法及装置
[8175-0018-0137] 一种集成电路测试插座
[8175-0101-0138] 具有倾斜设置的端子的功能块的半导体器件
[8175-0197-0139] 散热板引入树脂模制的半导体封装及其制造方法
[8175-0193-0140] 半导体装置
[8175-0061-0141] 生成加氟绝缘薄膜的方法
[8175-0218-0142] 多芯片模块
[8175-0017-0143] 半导体集成电路器件的制造工艺和半导体集成电路器件
[8175-0191-0144] 带有槽隔离结构的场效应晶体管及其制造方法
[8175-0094-0145] 包括存储器件的半导体集成电路器件
[8175-0203-0146] 用于大直径晶片的空间均匀的气体供给源和泵结构
[8175-0125-0147] 半导体器件的制造方法
[8175-0117-0148] 用于半导体存储器元件的熔丝装置
[8175-0041-0149] 用可原位探测晶片背面颗粒的导轨加工晶片的方法和设备
[8175-0194-0150] 减小器件制备中的氧化应力
[8175-0081-0151] 大规模集成半导体存储器和制造该半导体存储器的方法
[8175-0039-0152] 阻挡层的形成方法
[8175-0205-0153] 利用相变来制造半导体器件的方法
[8175-0066-0154] 半导体装置及其制造方法
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[8175-0022-0157] 安全半导体器件
[8175-0171-0158] 半导体器件的制造方法
[8175-0176-0159] 制作半导体器件的方法
[8175-0099-0160] 半导体器件及其制造方法
[8175-0130-0161] 一种半导体器件及其生产方法
[8175-0160-0162] 动态随机存取存储器单元电容器及其制造方法
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[8175-0153-0164] 半导体光发射器件
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[8175-0158-0166] 卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法
[8175-0124-0167] 半导体器件的制造工艺
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[8175-0141-0185] 半导体器件及其制造方法
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[8175-0056-0193] 半导体器件及其制造方法
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