半导体,半导体元件,半导体芯片,半导体封装类技术资料(168元/全套)

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[8140-0004-0001] 硅接合型二极管及其制造方法
[摘要] 提供一种电容温度系数具有负值的硅接合型二极管。第2硅单结晶层(16)的第2物质的含有浓度设定成比第1硅单结晶层(14)的第1物质的浓度低、并且在第2硅单结晶层(16)中导入第4族并且完全固溶型的元素、使第1硅单结晶层(14)和第2硅单结晶层(16)接合形成的硅接合型二极管(10)，具有现有技术中没能实现的零或者负的电容温度系数。例如，硅接合型二极管(10)的电容温度系数为—1500ppm/℃。
[8140-0109-0002] 制造集成半导体存储装置的方法
[摘要] 本发明系关于一种制造集成半导体存储装置的方法，根据该方法，对每一个选择晶体管(8)，两个电容器模块(10、20)分别自该晶片衬底(1)的前及后侧形成。该发明方法藉由该晶片后侧的利用达到存储器胞元的更高填充密度，两倍的存储器该取信号可用于相同胞元表面积。对每一个选择晶体管(8)，除“0”或“1”之外的状态亦可储存于铁电存储装置，若该两个电容器模块在层厚度、表面积或材料方面具不同构造。
[8140-0173-0003] 半导体器件和半导体器件的制造方法
本发明提供在具有具备栅绝缘膜的场效应晶体管的半导体器件及其制造方法中，晶体管可进一步微细化的半导体器件及其制造方法。在含有多个元件区域和由使上述元件区域彼此间电隔离的sti(浅沟隔离)形成的元件隔离区域的半导体器件中，上述每一个元件区域都具备：沟道区域；在水平方向上夹持上述沟道区域形成的源、漏区；在上述沟道区域上形成，而且，与上述源、漏区夹持上述沟道区域的上述方向大体上垂直的水平方向上的、在和与上述沟道区域对向的面相反一侧的面上从上述元件隔离区域侧形成的、鸟喙的角度在1度以下的栅绝缘膜；在上述栅绝缘膜上形成的栅电极层。
[8140-0083-0004] 微电子器件的制造方法及由该方法制造的微电子器件
[摘要] 提供一种微电子器件的制造方法，通过在gaas化合物半导体材料上，特别是在例如异质结二极管的异质结结构gaas化合物半导体材料上制成半导体件，它以简单且价廉的制造工艺获得具有长时间工作低欧姆接触电阻的特点。
[8140-0017-0005] 感应耦合等离子体处理装置
[摘要] 本发明提供一种感应耦合等离子体处理装置，不增大电介质壁的支持部分，且不增厚电介质壁就可以抑制包含电介质壁的、分隔处理室和天线室之间的分隔结构的翘曲。该处理装置由下述构件构成：对基板施以等离子体处理的处理室，向处理室内供给处理气体的处理气体供给系统，对处理室内进行排气的排气系统，构成处理室上部壁的电介质壁，在电介质壁上方设置的高频天线，在处理室的上方设置的、由电介质壁形成底壁的、收容高频天线的天线室，把天线室分隔成多个小室的、由天线室的侧壁支持的垂直壁；电介质壁与多个小室对应分割成多片，电介质壁的各分割片由天线室的侧壁和垂直壁支持。
[8140-0159-0006] 混合模式制程
[摘要] 一种混合模式制程，通过蚀刻一基底表面堆叠的一第一多晶硅层、一多晶金属硅化物层与一第一多晶硅间氧化层，形成一栅极与一下电极结构，再沉积一第二多晶硅间氧化层与一第二多晶硅层，并将其蚀刻成一导线与一上电极，最后利用侧壁子以及离子布植和自行对准金属硅化物等制程，以于该基底表面完成导线、mos晶体管以及电容的混合模式制程；本发明将导线、mos晶体管与该容结构以最少的步骤制作于硅基底表面，故可以达到提升制程效率的目的；本发明的制作方法可应用于高积集度的集成电路的半导体产品的生产，而达到提升产品竞争力的效果。
[8140-0169-0007] 固态图像传感器和图像读取方法
[摘要] 在包括4-tr-像素的固态图像传感器中，连接到第n行像素单元的传输晶体管的栅极26_tg的tg线、和连接到第n+1行像素单元的选择晶体管的栅极28_sel的选择线由公共信号线形成，并且第n行像素的栅极28_tg和第n+1行像素单元的栅极28_sel形成在相同导电层的一个连续图形中。由此可以给金属互连层的布局提供裕度。因而，可有效地屏蔽浮置扩散fd使其不受到光照射。此外，给面积提供裕度。因而，浮置扩散fd可具有增加的面积，由此可减少结泄漏。
[8140-0037-0008] 包含铁电电容器的半导体器件及其制造方法
[摘要] 本发明具体化了一种制造半导体器件的方法。所述方法包括：在整个电介质膜上形成下电极材料的膜；蚀刻下电极膜，以部分地限定每个下电极的侧壁；在下电极膜的其余部分和暴露的铁电膜的表面形成铁电材料的膜，在铁电膜上形成上电极材料的膜；以及蚀刻上电极膜、铁电膜和下电极膜的其余部分，直到电介质膜的表面完全地暴露，以完全地限定每个下电极的侧壁。
[8140-0155-0009] 用于生产空心封装型电子产品的盖板支架及使用该盖板支架的密封工艺
[摘要] 一种盖板件支架，用于在空心封装型电子产品的生产中形成封装电子元件的封装壳。芍ъ芴?34、58、64、70、74、78、82、88、94)临时固定多个盖板件(36、62、68、72、76、80、86、92、98)。盖板件的排列成与外围壁组件(48)的排列相一致，外围壁组件由盖板件一次性全部地密封而形成封装壳，并使支架体临时固定盖板件，从而在盖板件完全地密封外围壁组件之后，在不从外围壁组件上取下盖板件的情况下，支架体能够与盖板件相分离。
[8140-0177-0010] 氮化镓系发光二极管的结构及其制造方法
[摘要] 一种氮化镓系发光二极管的结构及其制造方法。首先，提供一基板，然后，形成一氮化镓系半导体叠层于基板上，此氮化镓系半导体叠层由下至上依序堆叠有一n型氮化镓系接触层、一发光堆叠层及一p型氮化镓系接触层。接着，形成一数字穿透层于p型氮化镓系接触层上，再以干蚀刻法向下依序蚀刻数字穿透层、p型氮化镓系接触层、发光堆叠层、n型氮化镓系接触层并终止于n型氮化镓系接触层内，以形成一n-金属(n-metal)形成区。接下来，分别形成一第一欧姆接触电极于p型氮化镓系接触层上以作为p型欧姆接触用，一第二欧姆接触电极于n-金属形成区之上以作为n型欧姆接触用。最后，同时在第一欧姆接触电极及第二欧姆接触电极上分别各形成一焊接垫。
[8140-0016-0011] 结晶装置、结晶方法、薄膜晶体管以及显示装置
[8140-0060-0012] 混光层和混光方法
[8140-0146-0013] 具有直立式洗净器的干蚀刻机台
[8140-0204-0014] 利用旋流以增加热传导率的导热管
[8140-0148-0015] 一种微距覆晶载板的结构及其制造方法
[8140-0092-0016] 用于均匀加热衬底的腔室
[8140-0191-0017] bga集成电路植珠装置及工艺
[8140-0065-0018] 用于高度密封装应用的高性能的散热器结构
[8140-0059-0019] 一种能够发射平行光的发光二极管
[8140-0179-0020] 高效高亮度多有源区隧道再生白光发光二极管
[8140-0100-0021] 载台系统及曝光装置,以及元件制造方法
[8140-0172-0022] 镶嵌栅极多台面式金氧半场效应晶体管及其制造方法
[8140-0114-0023] 发光装置
[8140-0129-0024] 发光组件及其制造方法、可见光发光装置
[8140-0022-0025] 高密度电浆氧化沉积物的去除方法
[8140-0131-0026] 增强界面热电冷却器
[8140-0182-0027] 半导体装置的制造方法
[8140-0152-0028] 监测氧化层品质的方法
[8140-0012-0029] 半导体元件及其制造方法
[8140-0218-0030] 薄膜晶体管阵列面板
[8140-0093-0031] 绝缘膜的蚀刻方法
[8140-0189-0032] 半导体器件的生产方法
[8140-0071-0033] 铌基超导体及制造方法
[8140-0039-0034] 静态随机存取存储器单元的制造方法
[8140-0024-0035] 制造半导体晶片的方法
[8140-0072-0036] 观察装置及其制造方法、曝光装置和微型器件的制造方法
[8140-0140-0037] si蚀刻方法及蚀刻装置
[8140-0206-0038] 导线框和制造导线框的方法
[8140-0076-0039] 表面金属污染的检测方法
[8140-0027-0040] 半导体模块及制造半导体模块的方法
[8140-0064-0041] 对准方法及装置
[8140-0163-0042] 互连、互连形成方法、薄膜晶体管及显示器
[8140-0139-0043] 一种平整半导体晶片表面的方法
[8140-0047-0044] 一种集成电容及其制法
[8140-0054-0045] 图像传感器及其制造方法
[8140-0194-0046] 半导体元件的制造方法以及半导体元件
[8140-0057-0047] 半导体器件
[8140-0082-0048] 包括单晶膜的半导体结构
[8140-0116-0049] 带有叠置适配器板的晶片搬运器
[8140-0073-0050] 掺杂半导体层的方法、制造薄膜半导体器件的方法、及薄膜半导体器件
[8140-0205-0051] 热管装置和热管型换热器
[8140-0023-0052] 护垫蚀刻程序后去除氟化铝缺陷的方法
[8140-0028-0053] 电子部件安装设备及方法
[8140-0018-0054] 一种p型导电的掺铟氧化锡薄膜
[8140-0168-0055] 存储电路、显示电路，以及显示装置
[8140-0049-0056] 非挥发性存储器的结构及其操作方法
[8140-0081-0057] 减少边缘接触的晶片搬运系统以及改进和使用该系统的方法
[8140-0110-0058] 半导体存储器件及其制造方法
[8140-0014-0059] 多层反射膜及其制程
[8140-0077-0060] 信息存储装置及其制造方法
[8140-0070-0061] iii族氮化物半导体器件
[8140-0136-0062] 半导体器件及其制造方法
[8140-0153-0063] 晶圆级预烧装置
[8140-0164-0064] 静电放电保护电路
[8140-0127-0065] 成型横向沟槽光检测器的方法
[8140-0011-0066] 氮化镓系ⅲ-ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
[8140-0085-0067] 臭氧处理方法及臭氧处理装置
[8140-0046-0068] 半导体集成电路
[8140-0200-0069] 瓶型沟槽的形成方法
[8140-0123-0070] 信息存储装置和安装了该信息存储装置的电子设备
[8140-0133-0071] 在半导体制造流程中防止晶圆污染的方法及装置
[8140-0217-0072] 可电擦除可编程逻辑元件
[8140-0120-0073] 利用特定晶体管取向的cmos制造方法
[8140-0141-0074] 一种氮化镓材料的干法刻蚀方法
[8140-0198-0075] 生产半导体器件的方法及相应的半导体器件
[8140-0185-0076] 干光刻法及用其形成栅图案的方法
[8140-0108-0077] 铁电存储装置及其制造方法
[8140-0167-0078] 永久性硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅存储器
[8140-0053-0079] 双位罩幕式只读存储器的结构及其制造方法
[8140-0055-0080] 场电极金属半导体场效应晶体管
[8140-0174-0081] 薄膜半导体装置及其制造方法
[8140-0208-0082] 半导体封装和半导体装置
[8140-0038-0083] 存储元件及制造方法
[8140-0157-0084] 浅沟道隔离区形成方法
[8140-0021-0085] 等离子体处理装置以及等离子体处理方法
[8140-0151-0086] 测试键结构
[8140-0035-0087] 在晶粒表面形成结合粘性的晶圆处理方法
[8140-0111-0088] 采用衬底沟槽的非易失性存储单元
[8140-0001-0089] 应用于红外线成像器与传感器的悬浮微结构及其制造方法
[8140-0113-0090] 采用集成电路技术的光敏传感器
[8140-0161-0091] 引线框及其制造方法，以及用该引线框制造的半导体器件
[8140-0132-0092] 场效应晶体管及其制备用的材料和方法
[8140-0212-0093] 具有非易失性数据存储电路的集成电路
[8140-0086-0094] 处理方法和处理装置
[8140-0181-0095] 基于硅硅键合的全干法深刻蚀微机械加工方法
[8140-0105-0096] 陶瓷接合体
[8140-0154-0097] 集成电路的导线检测装置
[8140-0184-0098] 半导体元件的图案的形成方法
[8140-0162-0099] 具有柱型帽盖层的半导体器件及其制造方法
[8140-0213-0100] 半导体集成电路
[8140-0063-0101] 半导体集成电路装置及其识别和制造方法以及半导体芯片
[8140-0122-0102] 使用嵌入式外壳有效减少电磁辐射的整体电容
[8140-0156-0103] 形成埋层电极板的方法
[8140-0165-0104] 叠层式半导体器件
[8140-0203-0105] 电子器件模块
[8140-0084-0106] 清洗晶片边缘的装置
[8140-0058-0107] 电学感应源漏扩展区mos晶体管及其制作方法
[8140-0190-0108] 制造具有低温多晶硅的顶栅型薄膜晶体管的方法
[8140-0196-0109] 掩模缺陷检查方法及其应用
[8140-0103-0110] 具有t型接触电极的半导体器件的制造方法
[8140-0130-0111] 增强界面热电冷却器
[8140-0003-0112] 耐高温固态压阻式平膜力敏芯片及其制作方法
[8140-0033-0113] 介层窗的制造方法
[8140-0211-0114] 静电放电防护电路与相关的金属氧化半导体晶体管结构
[8140-0117-0115] 具有无源元件的半导体器件及其制备方法
[8140-0097-0116] 脉冲型双稳态双向电子开关
[8140-0099-0117] 电介质薄膜元件及使用它的执行元件、喷墨头和喷墨记录装置
[8140-0094-0118] 硅晶片应用的助焊和填缝材料,和用其制造的层状电子组件
[8140-0115-0119] 电诱发纳米结构击穿的系统及方法
[8140-0050-0120] 高抗辐射的六角形栅极的快闪存储单元
[8140-0080-0121] 半导体元件
[8140-0112-0122] 半导体装置
[8140-0188-0123] 用于制造半导体器件的方法
[8140-0074-0124] 确定终点的方法以及半导体圆片
[8140-0068-0125] 用于在集成电路中形成电池的设备和方法
[8140-0143-0126] 低介电常数材料的表面处理方法
[8140-0096-0127] 磁阻存储元件
[8140-0106-0128] 互连结构和无电镀引入互连结构的方法
[8140-0067-0129] 在引线框上形成倒装芯片半导体封装的方法
[8140-0187-0130] 半导体芯片及其制造方法
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[8140-0193-0133] 半导体器件制造方法
[8140-0104-0134] 用于在印刷电路板中设置通路的方法和装置
[8140-0048-0135] 半导体存储器件和采用镶嵌位线工艺制造该器件的方法
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[8140-0102-0137] 电介质膜及其形成方法、半导体器件、非易失性半导体存储器件及半导体器件的制...
[8140-0056-0138] 用于调制掺杂的场效应晶体管的增强的t形栅极及其制造方法
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[8140-0090-0142] 脉冲控制的双稳态双向电子开关
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[8140-0166-0145] 半导体器件及其制造方法
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[8140-0025-0147] 超声波接合用接合工具
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