半导体,半导体存储,制造半导体器件,半导体器件制造类技术资料(168元/全套)

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[8152-0062-0001] 一种防止mos晶体管发生栅极贫化现象的方法
[摘要] 本发明提供一种在一半导体晶片的基板上制作一金属氧化物半导体(mos)晶体管并能防止该mos晶体管发生栅极贫化现象的方法。该方法是先在该基板表面形成一氧化硅层，接着于该氧化硅层表面上形成一非晶硅层，然后在该非晶硅层表面形成一多晶锗化硅(si_1-xge_x，x＝0.05～1.0)层。随后进行一刻蚀工艺，去除部分该锗化硅层以及该非晶硅层，用以在该基板表面上形成多个该mos晶体管的栅极。最后在各该栅极周围形成一隔离壁，并在该基板内形成各该mos晶体管的一源极与一漏极。
[8152-0205-0002] 在半导体器件上形成多孔介电材料层的方法及形成的器件
[摘要] 本发明公开了一种在电子结构中形成多孔介电材料层的方法以及所形成的结构。在此方法中，半导体器件中的多孔介电层可以通过以下步骤形成：首先形成无孔介电层，然后局部固化，通过反应离子刻蚀构图，最后在比局部固化温度更高的温度下固化无孔介电层，用以将无孔介电材料转变成多孔介电材料，从而获得具有明显改善的介电常数，即小于2.6的介电材料。无孔介电材料可以通过以下方法形成：将第二相聚合材料埋入诸如甲基倍半硅氧烷、氢倍半硅氧烷、苯并环丁烯或芳香族热固性聚合物的热稳定介电材料内，使得在更高的固化温度，第二相聚合材料充分挥发而留下气孔，形成充满气孔的介电材料。
[8152-0214-0003] 金属内连线的制作方法
一种金属内连线的制作方法，先提供一表面包含有一第一介电层的半导体基底，且该第一介电层中形成有至少一凹槽，接着于该凹槽表面依序形成一黏着层、一金属层以及一材料层，并利用该材料层封住该凹槽的洞口；然后进行一黄光暨蚀刻制程(pep)，以于该黏着层、该金属层以及该材料层中，形成至少一金属内连线；其中，封住该凹槽洞口的该材料层，用来防止该黄光暨蚀刻制程的光阻残留于该凹槽内，因此在进行金属内连线的黄光制程时，就不会有光阻层残余在介层洞之内，以有效避免如微粒、缺陷以及气泡等的异常现象的发生；所以本发明不但可以解决光阻残留的问题，而且不需要沉积太厚的钨层，以有效简化制程，解决成本增加及难以被平坦化的问题，进而达到提高良率的目的。
[8152-0082-0004] 包括纳米管电子源的数据存储装置
[摘要] 数据存储装置(110)包括相变存储层(112)和作为电子源的纳米管(212)的阵列(114)。
[8152-0200-0005] 半导体器件及其制造方法
[摘要] 提供一种使用薄膜晶体管有效地配置要求高的器件间一致性的电路的方法。半导体层被形成在衬底上并被图形化为所需要的形状以形成第一半导体岛。通过在其表面区域内辐照激光均匀地晶化第一半导体岛。此后，该半导体层被图形化为所需要的形状以成为薄膜晶体管层的有源层。在这种情况下，构成一个单元电路的所有薄膜晶体管的有源层由第一半导体岛之一形成。于是，各tft相互实现高一致性。
[8152-0188-0006] 刻蚀含铋氧化物膜的方法
[摘要] 本发明提供一种刻蚀氧化物膜的方法，其中氧化物膜至少包括一种含铋氧化物，尤其包括一种铁电含铋混合氧化物，这种方法含有下列步骤：a)制备衬底，在其上涂敷至少一层至少包括一种含铋氧化物的氧化物膜，b)使刻蚀液与此衬底接触，使得刻蚀液可以与氧化物膜发生反应，其中刻蚀液包括2-20重量百分比的氟离子给体，15-60重量百分比的硝酸和20-83重量百分比的水，以及c)从衬底上去掉刻蚀液。此刻蚀液也应用在含铋氧化物膜的结构化方法中。
[8152-0030-0007] 制造半导体部件的方法和半导体部件
[摘要] 本发明涉及一种制造半导体部件的方法，它有下述特征：提供一个半导体基体(100)，它具有第一和第二表面(101，102)；在半导体基体(100)内制造多个微孔(103)，它们从第一表面(101)开始延伸进入半导体基体(100)，并且在第二表面(102)下面结束；在微孔(103)区增加半导体基体(100)的导电性。此外本发明还涉及半导体部件。
[8152-0016-0008] 半导体元件用金属布线的后处理方法
[摘要] 半导体元件用金属布线后处理方法，其把氧化铝膜用作金属布线的保护层来提高金属布线可靠性。半导体元件用金属布线后处理方法，衬底上以任意的图案形成的金属布线进行后处理，包括：完成蒸镀工序，形成金属布线衬底的整个面上形成规定厚度铝的步骤；完成等离子体处理，形成氧化铝膜下部阻挡层的步骤；完成蒸镀工序，在下部阻挡层的上部整个面上形成层间绝缘膜的步骤。本发明另一方案半导体元件用金属布线的后处理方法，对衬底上以任意图案形成的金属布线进行后处理，包括：完成蒸镀工序，形成了所述金属布线的衬底整个面上形成具有规定厚度氧化铝膜的下部阻挡层的步骤；完成蒸镀工序，下部阻挡层的上部整个面上形成层间绝缘膜的步骤。
[8152-0160-0009] 具高密度散热鳍片的散热器及其组装方法
[摘要] 一种具高密度散热鳍片的散热器，其包含：一基座；及一散热片组件，由数个散热片以可拆卸方式彼此相互连接而成，其中每一散热片包含一底板及一与该底板垂直的鳍片；其中，每一底板形成该散热片组件的底面，且该底面系粘附于该基座的表面。该散热器具有组装的灵活性及节省组装时间的特点。
[8152-0001-0010] 半导体器件制造方法和半导体器件的制造装置
[摘要] 一种减少生产步骤数目和进行流水线生产的半导体器件制造方法，该方法通过将芯片部件(22)和半导体切片(21)装配到经过检查的多单元基片(27)中包含的布线板(2)上，其中布线板(2)，即在当对多单元基片(27)进行检查时发现有欠缺的单元上固定一个废品标记(2e)，在接着的一系列装配步骤的每个步骤中识别该废品标记，略去否则需要对具有废品标记(2e)的布线板(2)进行的任何工作，从而使生产线实现流水化。
[8152-0107-0011] 射频台式硅二极管玻璃钝化制备方法
[8152-0108-0012] 栓塞金属层的形成方法
[8152-0005-0013] 半导体器件的制造方法和电子设备的制造方法
[8152-0041-0014] 以有机高分子为粘结剂的三元复合磁电材料及其制备方法
[8152-0093-0015] 湿法蚀刻剂组合物
[8152-0210-0016] 处理机中半导体器件传送装置
[8152-0075-0017] 氮化硅只读存储器的制造方法
[8152-0203-0018] 半导体元件的制造方法
[8152-0089-0019] 制作滤光片的方法
[8152-0162-0020] 半导体器件及其制造方法
[8152-0054-0021] 制作不同电阻值的轻掺杂漏极的方法
[8152-0164-0022] 半导体器件的工作方法
[8152-0211-0023] 半导体器件测试处理机中的校准装置
[8152-0182-0024] 发光二极管器件
[8152-0187-0025] 硅毫微结构,硅量子线阵列的形成方法,以及基于此的设备
[8152-0120-0026] 半导体装置及其制造方法
[8152-0217-0027] 制作非挥发性存储元件的方法
[8152-0144-0028] 蚀刻法及蚀刻液
[8152-0189-0029] 硅双极晶体管的制造方法
[8152-0218-0030] 芯片封装基板电性接触垫的电镀镍/金制作方法与结构
[8152-0196-0031] 布图器件的方法
[8152-0032-0032] 半导体器件及其制造方法
[8152-0101-0033] 金属剥离方法
[8152-0158-0034] 氮化物只读存储器及其制造方法
[8152-0192-0035] 用于半导体器件个性化的装置与方法
[8152-0198-0036] 用于转移薄半导体层的工艺和使用这种转移工艺获得施主晶片的工艺
[8152-0024-0037] 混合集成电路装置及其制造方法
[8152-0121-0038] 大功率照明发光二极管
[8152-0098-0039] 发光二极管及半导体激光
[8152-0009-0040] 用于切割的粘合片
[8152-0017-0041] 混合集成电路装置的制造方法
[8152-0146-0042] mos晶体管及其制造方法
[8152-0172-0043] 非易失性半导体存储装置
[8152-0043-0044] 退火单晶片的制造方法及退火单晶片
[8152-0073-0045] 抑制存储器阵列位线间漏电的方法
[8152-0033-0046] 有非发光型显示器的电子装置
[8152-0156-0047] 半导体器件
[8152-0137-0048] 利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法
[8152-0139-0049] 晶片清洗装置
[8152-0132-0050] 双极晶体管及其制造方法
[8152-0153-0051] 双摆幅式电荷恢复低功耗电路结构
[8152-0092-0052] 非单晶薄膜、带非单晶薄膜的衬底、其制造方法及其制造装置、以及其检查方法及...
[8152-0119-0053] 含有有机半导体的夹心型场效应晶体管及制作方法
[8152-0149-0054] 用于表面安装装置封装体的测试固定件
[8152-0008-0055] 半导体器件和制造半导体器件的方法
[8152-0114-0056] 散热片和等离子体显示面板
[8152-0111-0057] 晶片组态设定的检测方法
[8152-0178-0058] 窄带光谱响应的量子阱红外探测器
[8152-0134-0059] 磁致电阻效应元件和磁致电阻效应型磁头
[8152-0147-0060] 用于结合力控制的装置和方法
[8152-0110-0061] 薄膜晶体管的制造方法及结构
[8152-0006-0062] 一种外延生长用蓝宝石衬底的镓原子清洗的方法
[8152-0122-0063] 有机半导体器件及其制造工艺
[8152-0193-0064] 具有激子阻挡层的有机光敏光电器件
[8152-0181-0065] 照明装置
[8152-0102-0066] 具有超浅结延伸区的mos装置的制造方法
[8152-0059-0067] 于一半导体晶片表面上沉积一薄膜的方法
[8152-0142-0068] 一种集成电路装置及其制造方法
[8152-0099-0069] 半导体器件及剥离方法以及半导体器件的制造方法
[8152-0065-0070] 异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法
[8152-0124-0071] 摇动喷淋型传送式基板处理装置
[8152-0169-0072] 非易失性半导体存储装置
[8152-0088-0073] 制作滤光片的方法
[8152-0086-0074] 绝缘双极性栅晶体管装置及制法、控制其切换速率的方法
[8152-0042-0075] 形成金属布线的方法和用于形成金属布线的半导体制造设备
[8152-0045-0076] 半导体器件及其制造方法
[8152-0157-0077] 快闪存储器位线上的电性绝缘层的制造方法
[8152-0194-0078] 多层物体调温处理的装置和方法和多层物体
[8152-0028-0079] 减小便携廉价耐用存储器阵列中串音的器件和制作工艺
[8152-0141-0080] 制备无孔洞的金属间介电层的方法
[8152-0013-0081] 改善多孔性低介电薄膜吸水性的方法
[8152-0136-0082] 快擦写存储单元浮置栅极的制造方法
[8152-0026-0083] 用于具有温度补偿基准电压发生器的集成电路的内部电源
[8152-0091-0084] 积层压电器件及其制法和压电致动器
[8152-0150-0085] 测量集成半导体组件在高温时的可靠性的装置和方法
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[8152-0080-0087] 减小尺寸的堆叠式芯片大小的组件型半导体器件
[8152-0060-0088] 一种制作矽氧层的方法
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[8152-0204-0093] 半导体制造装置及半导体元件制造方法
[8152-0012-0094] 避免低介电常数介电层劣化的方法
[8152-0212-0095] 用sige bicmos集成方案制造多晶-多晶电容器的方法
[8152-0040-0096] 液相电沉积n-型及p-型一维纳米线阵列温差电材料及设备和制备方法
[8152-0105-0097] 半导体器件制造方法及处理液
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[8152-0123-0106] 一种成型半导体结构的方法
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