大功率,大功率取样,激光器,光纤激光器类技术资料(168元/全套)

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[8318-0157-0001] 大功率全固态双共振和频蓝光激光装置
[摘要] 本发明涉及一种大功率全固态双共振和频蓝光激光装置，包括在光路上依次安置泵光源，泵光源安置在一块谐振腔镜的前方从端面泵浦激光晶体，谐振腔镜设置成一激光谐振腔；并在谐振腔镜形成的谐振腔内依次安置激光晶体、倍频晶体；还包括在激光谐振腔内的激光晶体与倍频晶体之间的光路上设有一色散补偿元件，在倍频晶体后的光路上安置一和频晶体，在谐振腔镜输出的光路上按布氏角安置一分光棱镜；所述光学元件固定在光学具座上，光学具座固定在光学平台上。该装置采用双共振组成单通或双通和频光路，克服了原有技术采用准三能级难于镀膜和难于散热的缺点，并且结构简单，其功率可达几瓦到几十瓦，实现了高效、大功率的蓝光输出。
[8318-0025-0002] 含有光纤元件的光学装置
[摘要] 描述一种光学装置，包括光纤元件，例如光纤光栅，该元件与预定的传递函数有关，能够放在多组相邻线圈里。此外，光学装置装备有刚性安装座，能够容纳所述的光纤元件，其特征在于它能容纳至少一种分隔件，用于物理地分隔所述多个线圈，以便防止经过重叠产生的相互接触；并且容纳一种固定所述光纤元件的构件，该构件能够将所述元件固定在稳定位置。该方案能够避免在将光纤元件放置在安装座时和/或该装置使用期引起的传递函数的变化。
[8318-0152-0003] 氮化物半导体基板及制法和使用该基板的氮化物半导体装置
一种氮化物半导体基板，包括：(a)支承基板，(b)具有周期性t字形横剖面的第一氮化物半导体层，其系于支承基板上自周期性设置的条纹状、格栅状或岛状部分成长，及(c)覆盖该支承基板的第二氮化物半导体基板，其系自该第一氮化物半导体层的上表面及侧面成长，其中在第二氮化物半导体层的下方形成空穴。将具有周期性设置的条纹状、格栅状或岛状孔隙的保护层形成于支承基板上。第一氮化物半导体层自基板的暴露部分横向成长。在第一氮化物半导体层覆盖支承基板之前停止成长。因此，第一氮化物半导体层具有周期性的t字形横剖面。然后将保护层移除，及使第二氮化物半导体层自第一氮化物半导体层的上表面及侧面成长，以覆盖基板。
[8318-0039-0004] 半导体激光元件
[摘要] 本发明的目的是，提供一种选择成长形成的折射率控制层的膜厚控制性高、有效折射率差的再现性好、制造成品率高的半导体激光元件。在活性层25的至少一侧设具有活性层25的禁带宽度以上的禁带宽度的光波导层27，在光波导层27外侧设具有光波导层27的禁带宽度以上的禁带宽度的包层28，在光波导层27上，设经选择成长埋入的、具有带状窗r21的折射率控制层31的实际折射率波导型半导体激光元件中，折射率控制层31埋入光波导层27，在埋入的折射率控制层31上设先行选择成长的半导体层30，在包含半导体层30和折射率控制层31的叠层部分中，半导体层30的膜厚变化造成的有效折射率的变化量，比折射率控制层31的膜厚变化造成的有效折射率的变化量更小。
[8318-0112-0005] 特殊切角的硼酸铋变频晶体器件
[摘要] 本发明属于光电子技术领域。本发明的主要内容就是对于倍频，当入射光波长为780nm～1180nm时，硼酸铋晶体器件的切角范围是θ＝149.5°±5°～175°±5°，φ＝90°±5°，入射光波长为1180nm～1380nm时，晶体切角范围是θ＝169°±5°～167°±5°,φ＝135.5°±5°～153.7°±5°，对于和频，当入射光波长为1064nm，532nm时，晶体切角范围是θ＝137.7°±5°，φ＝130°±5°，或θ＝146.4°±5°，φ＝90°±5°。它解决了现有技术无法确定bibo晶体器件最佳切向的问题。本发明具有变频转换效率高、能耗低等优点。
[8318-0162-0006] 可见波段双波长固体激光器
[摘要] 一种可见波段双波长固体激光器涉及固体激光器设计领域。采用腔内同时进行倍频与和频的方案，利用红外激光泵浦，同时输出可见波段的双波长激光。器件结构紧凑，降低了器件制造、维护、调整的复杂性，也降低了制造和维护成本，提高了运转的稳定性和可靠性。
[8318-0022-0007] 半导体激光器列阵的组装设备
[摘要] 本发明适用于半导体激光器列阵的组装和烧结。包括炉体、温控系统、摄像系统、显微镜、电源，这种炉子集组装、烧结、观测为一体。解决了组装过程中的管芯对准问题，并能精确控温及迅速降温。组装好激光器列阵后，不用把激光器移动而进行烧结。本发明使用角度可调的支撑台面，确保不同大小列阵组装的自对准。支柱的支撑孔高度不同，可使支撑板向一端倾斜，活动杆的调节孔的高度也不同，支架使支撑板向一端倾斜，下电极和管芯会由于重力下滑而贴在挡板上自动对齐管芯，本发明温度可以控制，用高度抛光的支撑板作台面和高度抛光的挡板，所以不会对管芯有任何损坏。可以在气体的保护下进行激光器列阵的烧结，可以在监视系统监视下进行组装。
[8318-0012-0008] 半导体激光器光频光强调制器
[摘要] 一种半导体激光器光频光强调制器，能够分别独立地进行对被调制半导体激光器的光频和光强调制。调制光源采用了三电极分布布拉格反射半导体激光器。当进行光频调制时，通过光路中的偏振分束器、分束器和光电转换器，控制驱动电流控制器注入到被调制半导体激光器上的电流大小，达到在光频调制过程中，光强不随着变化的目的。当进行光强调制时，利用三电极分布布拉格反射半导体激光器将输出光束锁定在某一光频上，关闭与驱动电流控制器连接的光电转换器，控制驱动电流控制器输出的电流强度，达到在光强调制过程中，减弱光频啁啾和脉动的问题。本发明的调制器集独立调制光频和光强为一体的装置，扩大了一调制器的使用范围。
[8318-0200-0009] 半导体激光器及其制造方法
[摘要] 本发明对实折射率波导型半导体激光器，得到高输出功率的半导体激光器。提供一种半导体激光器，其特征在于，具有：第1导电型包层；通过注入电流而派涔獾挠性床悖坏?的第2导电型包层；作为脊形波导路的第2的第2导电型包层；带隙比夹着上述第2的第2导电型包层在其两侧形成的上述第1及第2的第2导电型包层大的电流阻挡层；向上述第2的第2导电型包层导入电流时，具有足以防止漏电流流入上述电流阻挡层的迁移率的第3的第2导电型包层。
[8318-0064-0010] 稳定的辐射源
[摘要] 一种稳定辐射源(300)包括：(a)一个分布反馈(dfb)激光器(310)；(b)一个用于将部分输出辐射耦合到第一和第二光路的后透镜(340)；(c)用于检测穿过第一和第二光路传输的辐射，和产生表示辐射功率的第一和第二信号(j₁，j₂)的光辐射检测器(370，380)；以及(d)用于响应稳定信号来控制该激光器(310)的控制电路(390)。本发明特征在于第一和第二辐射路径可操作来将基本未滤过的和波长依赖滤光辐射传输由此分别提供到该检测装置(370，380)。穿过第一光路传输被转换为第一信号(j₁)的未过滤辐射特别适合于实现激光输出辐射功率稳定，它独立地输出辐射波长。
[8318-0052-0011] 具有发散区的半导体激光器单元
[8318-0143-0012] 稳定大功率半导体激光器输出波长的方法和装置
[8318-0078-0013] 一种波长连续可调的半导体激光器及其制备方法
[8318-0121-0014] 半导体激光元件及其制造方法
[8318-0145-0015] 半导体激光器件以及光盘再现和记录装置
[8318-0129-0016] 激光放大器的吸水装置和制造这种装置的方法
[8318-0178-0017] 半导体器件
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[8318-0067-0041] 多棒串接的双灯泵浦大功率固体激光器
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[8318-0073-0043] 一种可调谐紫色激光晶体cr3+：rea3...
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