硅晶体管技术资料-锗晶体管-极型晶体管-其中的多晶硅-极性晶体管-多晶硅晶体管类资料（198元/全套）

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《硅晶体管资料》包括专利技术全文资料235份。
0001)悬空硅层的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

0011)具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置
0012)通过注氧进行量子**的硅基单电子晶体管及制作方法
0013)使用含碳硅和锗化硅外延源/漏极的高性能应力增强金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法
0014)低温多晶硅薄膜晶体管
0015)硅晶体管自动／手动两用测试仪
0016)低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
0017)采用硅(*)多晶硅横向结晶方法以及应用其制造的多晶硅薄膜晶体管
0019)基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管
0020)制造低温多晶硅晶体管的多晶硅的组合设备工具
0021)用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜和使用该多晶硅薄膜的器件
0022)功能有机薄膜,有机薄膜晶体管,含π电子共轭分子的硅化合物,它们的形成方法
0023)用于应变硅MOS晶体管的金属硬掩模方法和结构
0024)亚四分之一微米级硅－绝缘体的MOS场效应晶体管
0025)提高截止频率的硅锗晶体管
0026)形成多晶硅薄膜的方法及用该方法制造薄膜晶体管的方法
0027)形成在源漏极上具有金属硅化物的晶体管的方法
0028)用于改进碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管中反向层迁移率的方法
0029)一种硅基平面侧栅单电子晶体管及其制作方法
0030)多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
0031)金属氧化物半导体晶体管的金属硅化工艺及晶体管结构
0032)多晶硅结晶方法、薄膜晶体管及其液晶显示器的制造方法
0033)降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法
0034)超薄绝缘体基外延硅金属氧化物半导体晶体管的阈值电压调节方法
0035)绝缘体上硅薄膜晶体管
0036)沟道区中具有硅和碳层的晶体管
0037)具有双栅极结构的非晶硅薄膜晶体管及其制造方法
0038)用于通过减少自对准硅化物界面电阻改善晶体管性能的方法
0039)低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
0040)用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法
0041)多晶硅薄膜晶体管的制作方法
0042)制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法
0043)一种功率型多晶硅发射极晶体管
0044)一种高反压低负阻硅晶体管的制造方法
0045)制作应变硅晶体管的方法
0046)包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法
0047)具有多晶硅层的薄膜晶体管、制造方法及平板显示器
0048)制造具有低温多晶硅的顶栅型薄膜晶体管的方法
0049)制造绝缘层上硅的金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
0050)具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
0051)多晶硅薄膜晶体管离子注入机
0052)制作应变硅沟道金属半导体晶体管的方法
0053)多晶硅薄膜制造方法和具有其的薄膜晶体管的制造方法
0054)一种双硅纳米线围栅场效应晶体管及其制备方法
0055)评定多晶硅的方法和系统及制造薄膜晶体管的方法和系统
0056)垂直双沟道绝缘硅晶体管及其制造方法
0057)一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法
0058)在碳化硅中制造双极结晶体管的方法和得到的器件
0059)形成多晶硅薄膜的方法，包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管及其制造方法
0060)形成多晶硅层以及制作多晶硅薄膜晶体管的方法
0061)制造金属氧化物硅场效应晶体管的方法
0062)低温直接沉积多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
0063)在晶体管的有源区域分两次形成硅化物的工艺
0064)准绝缘体上的硅场效应晶体管及实现方法
0065)具有应变硅锗层磊晶的场效应晶体管结构及其制造方法
0066)具有最佳锗分布的硅锗双级晶体管
0067)一种新型金属氧化物硅场效应晶体管栅极结构及其制备工艺
0068)多晶硅薄膜晶体管制造方法
0069)具有多晶硅浮置隔片的镜像存储单元晶体管对的制造方法
0070)多晶化方法、制造多晶硅薄膜晶体管的方法及用于该方法的激光辐照装置
0071)薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法
0072)薄膜晶体管与多晶硅层的制造方法
0073)碳化硅横向场效应晶体管和制造方法及其使用
0074)射频功率碳化硅场效应晶体管的互连方法和器件
0075)薄膜晶体管用非晶硅的结晶方法
0076)金氧半晶体管的自对准硅化物的制备方法
0077)带有结型场效应晶体管的碳化硅半导体器件及其制造方法
0078)多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
0079)功率金属氧化物硅场效应晶体管
0080)形成具有完全硅化结构的半导体组件及晶体管的方法
0081)低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
0082)制造结晶硅半导体和薄膜晶体管的方法
0083)低温多晶硅薄膜晶体管基板
0084)具有多晶硅浮动隔离层的镜像存储单元晶体管对
0085)含侧链型有机硅烷化合物，薄膜晶体管及其制造方法
0086)用硅绝缘体(SOI)基片上的应变Si/SiGe层的迁移率增强的NMOS和PMOS晶体管
0087)德尔塔掺杂的碳化硅金属半导体场效应晶体管及其制造方法
0088)C波段硅功率晶体管
0089)具多个共通电压驱动电路的多晶硅薄膜晶体管液晶显示器
0090)使用应变硅用于晶体管的集成设计方法和结构
0091)用于结晶多晶硅的掩膜及利用该掩膜形成薄膜晶体管的方法
0092)多栅双沟道结构的多晶硅薄膜晶体管
0093)清洗硅表面的方法以及用此方法制造薄膜晶体管的方法
0094)具有硅氧烷聚合物界面的有机薄膜晶体管
0095)硅平面型功率晶体管管芯制造方法
0096)降低多晶耗尽效应的制作多晶硅栅极晶体管的方法
0097)非自对准抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺
0098)制作应变硅互补式金属氧化物半导体晶体管的方法
0099)制作应变硅晶体管的方法
0100)低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管
0101)轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法
0102)一种硅化物全自对准槽栅绝缘栅双极晶体管设计及制备工艺
0125)多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法
0135)高温应用碳化硅场效应晶体管及其使用和制造方法
0136)硅单晶薄片制造晶体管的方法
0137)应变硅、栅极构建的费米场效应晶体管
0138)击穿电压增加的双极绝缘体上硅晶体管
0139)低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
0140)形成多晶硅层的方法以及制造多晶硅薄膜晶体管的方法
0141)应力绝缘体上硅场效应晶体管及其制作方法
0142)薄膜晶体管的多晶硅制造方法
0143)利用多晶硅的薄膜晶体管制造方法
0144)用于应变硅MOS晶体管的多晶硅栅极掺杂方法和结构
0145)多晶硅薄膜晶体管离子感测装置与制作方法
0146)低温多晶硅薄膜晶体管及其通道层的制造方法
0147)包括低温多晶硅薄膜晶体管的影像显示系统及其制造方法
0148)多晶硅层以及薄膜晶体管的制造方法
0149)平坦多晶硅薄膜晶体管的制作方法
0150)制造多晶硅薄膜的方法和使用该多晶硅的薄膜晶体管
0151)多晶硅薄膜、其制法以及用该膜制造的薄膜晶体管
0152)形成具有集成的金属硅化物栅电极的晶体管的方法
0153)硅薄膜晶体管及其制造方法以及显示屏
0154)形成异质结双极晶体管的硅－锗基区的方法
0155)具有碳化硅钝化层的碳化硅双极结型晶体管及其制造方法
0156)形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法
0157)多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
0158)在晶体管的有源区域分两次形成硅化物的工艺
0159)抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺
0160)纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管
0161)具有多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器及其制造方法
0162)抗辐射加固的特殊体接触绝缘体上硅场效应晶体管及制备方法
0163)碳化硅MOS场效应晶体管以及其制造方法
0164)硅(*)全硅化外基极晶体管
0166)半导体器件及改善体接触绝缘体上硅(SOI)场效应晶体管的方法
0167)一种源体欧姆接触绝缘体上硅晶体管的制作方法
0168)硅锗双极型晶体管
0169)半导体元件与其中的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
0170)具有重组区域的绝缘体上硅场效应晶体管及形成该场效应晶体管的方法
0171)低温多晶硅薄膜晶体管及其多晶硅层的制造方法
0172)使用非晶硅薄膜晶体管的高稳定性位移电路
0173)具有集成非晶硅薄膜晶体管驱动列的液晶显示装置
0174)气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法
0175)基于区熔硅单晶的双极光晶体管及其探测方法
0176)高压应力薄膜与应变硅金属氧化物半导体晶体管及其制法
0177)改善硅化镍层性能方法及形成PMOS晶体管方法
0178)使用应变硅用于集成PMOS和NMOS晶体管的单掩模设计方法和结构
0179)叠层储存电容器结构、低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器
0180)应变硅互补型金属氧化物半导体晶体管的制作方法
0181)具有轻掺杂漏极区的多晶硅薄膜晶体管的制造方法
0182)作为薄膜晶体管的介电层或平面化层的低温溶胶(*)多晶硅的制法、薄膜晶体管及制法及有机发光二极管显示装置
0184)低温多晶硅薄膜晶体管结构及其制造方法
0185)锗硅阳极绝缘栅异质结晶体管
0186)纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
0187)具有自对准硅化物和外基极的双极晶体管
0188)液晶显示器的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
0189)多晶硅薄膜晶体管液晶显示器的电路布局方法
0190)多晶硅膜的制造方法以及薄膜晶体管的制造方法
0191)薄膜晶体管的多晶硅层及其显示器
0192)多晶硅薄膜晶体管的形成方法
0193)一种金属氧化物硅场效应晶体管制备工艺
0194)复原非晶硅薄膜晶体管器件阈值电压漂移的装置
0195)包括掩埋源电极的沟槽金属氧化物硅场效应晶体管及其制造方法
0196)低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
0197)NPN型的锗硅异质结双极晶体管及其制造方法
0198)制造含结晶硅有源层的薄膜晶体管的方法
0199)用于制造晶体管的低热预算氮化硅膜及其制备方法
0200)高迁移率块体硅p沟道场效应晶体管
0201)形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法
0202)应变硅CMOS晶体管的原位掺杂硅锗与碳化硅源漏极区
0203)制作超高伸张应力膜以及应变硅晶体管的方法
0204)非晶硅薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法
0205)一种体硅MOS晶体管及其制作方法
0206)具有P＋多晶硅栅极的金属氧化物半导体晶体管的制作方法
0207)制作高张力薄膜及应变硅金属氧化物半导体晶体管的方法
0208)硅化金属栅极晶体管的结构和方法
0209)低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
0210)藉由使用包含具有高共价半径的原子的嵌入半导体层的用于硅基晶体管中工程应变的技术
0211)低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法
0212)非晶硅薄膜晶体管及具有该晶体管的有机发光显示器件
0213)具有硅－锗(Sii－x－Gex)门极MOS晶体管的集成CMOS电路的半导体装置及其生产方法
0214)具多晶硅射极双极性晶体管的制造方法
0215)多晶硅薄膜、其制法以及用该膜制造的薄膜晶体管
0216)具有金属硅化物的金属氧化物半导体晶体管元件与其工艺
0217)硅基薄膜晶体管室温红外探测器
0218)用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜及使用该多晶硅薄膜的显示器件
0219)碳化硅金属半导体场效应晶体管和制造碳化硅金属半导体场效应晶体管的方法
0220)适用于硅台型垂直沟道场效应晶体管的隔离方法
0221)降低绝缘体上硅晶体管寄生双极电流的方法和装置
0222)结晶硅的方法、结晶硅的装置，薄膜晶体管及显示装置
0223)硅双极晶体管的制造方法
0224)底栅控制型多晶硅薄膜晶体管的制造方法
0225)高压水气退火的多晶硅薄膜晶体管组件的制作方法
0226)应用于高效能薄膜晶体管的多晶硅退火结构及其方法
0227)制作应变硅互补金属氧化物半导体晶体管的方法
0228)用于在场效应晶体管的鳍之上形成双重全硅化栅极的方法
0229)高压金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET)结构及其制造方法
0230)用于制造深结绝缘体上硅晶体管的方法
0231)基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法
0232)形成多晶硅的方法和采用多晶硅的薄膜晶体管及其制法
0233)用于可编程逻辑设备中绝缘体外延硅晶体管的设备和方法
0234)多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
0235)薄膜晶体管的制造方法与修补多晶硅膜层之缺陷的方法



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