一般特征
外形接口尺寸(宽 x 高 x 深)重量控制器容量NAND 闪存垃圾回收抗震性振动S.M.A.R.TDRAM 高速缓存安全其它
2.5英寸 | |
SATA 6Gb/s (兼容SATA 3Gb/s 及 SATA 1.5Gb/s) | |
100 x 69.85 x 7mm | |
最高重量:53g | |
三星 3核 MEX 控制器 | |
120GB | |
1x nm 三星 Toggle DDR 2.0 NAND 闪存 (400Mbps) | |
支持 | |
1,500G & 0.5ms (半正弦) | |
运行:随机振动: 2.17Grms (7~800Hz) 非运行:随机振动: 3.08Grms (7~800Hz) | |
支持 | |
256MB LPDDR2 | |
AES 256位 全盘加密 (FDE) 支持TCG-OPAL/eDrive (自2013年10月始) | |
支持全球名称 (WWN), LED 指示灯 |
性能
连续读取连续写入Random Read (4KB, QD32)Random Write (4KB, QD32)Random Read (4KB, QD1)Random Write (4KB, QD1)
最大 540 MB/s | |
最大 410 MB/s | |
最大 94,000 IOPS | |
35,000 IOPS | |
最大 10,000 IOPS | |
最大 33,000 IOPS |
环境温度
可靠性(MTBF)工作温度湿度
平均故障间隔时间:1,5 00,000小时 | |
运行:0°C 至 70°C 非运行:-55°C 至 95°C | |
5% 至 95%, 不凝结 |
保修期
3 年有限保修
支持
支持
TRIM支持(需要操作系统支持) |
电源功耗(最大)
电源功耗(最大)
平均功耗 : 0.1W **** (典型) 待机功耗 : 0.045W (典型, DIPM开启) |
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