数字兼容QAM和QPSK。本振采用晶体倍频方案，具有极低的相位噪声，理论值可达-120dB@10KHz。本机采用新型的LDMOS场效应管，具有效率高，线性好，动态范围大，节能省电等优点。选用大动态范围的混频电路，具有线性好，谐波份量少。技术指标参数:1、发射频率范围：2500-2700MHz2、输出功率(P1dB)：200W3、输出阻抗：50Ω 、输入阻抗：75Ω4、工作带宽：200MHz5、载噪比：≥55dB6、本振泄露：≥68dB7、复合三阶差拍：≥－60dBc8、谐波抑制:≥－65dBc9、供电电压：AC220V±109%（单相）10、工作温度：-30℃— 45℃

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