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硅靶材Si磁控溅射靶材
发布时间:2020-08-28 08:24

科研实验专用硅靶材Si磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料

产品介绍

      硅是地球上储藏丰富的材料之一,熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加,有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。单晶硅主要用于制作半导体元件。

产品参数

中文名硅            元素符号Si

原子量28.0855       沸点 2900℃

熔点 1414℃         密度 2.33g/cm3

支持靶材定制,请提供靶材产品的元素、比例(重量比或原子比)、规格,我们会尽快为您报价!!

服务项目:靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款,质量保证,售后无忧!

产品附件:发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装

适用仪器:多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备

质量控制:严格控制生产工艺,采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段,分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度;可提供质检报告。

加工流程:熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库

      陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差,连续长时间溅射易发生靶裂情况,绑定背靶后,可提高化合物靶材的导热性能,提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您,选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶!

      我公司采用高纯铟作为焊料,铟焊厚度约为0.2mm,高纯无氧铜作为背靶。

      注意:高纯铟的熔点约为156℃,靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化!绑定背靶不影响靶材的正常使用!

      建议:陶瓷脆性靶材、烧结靶材,高功率下溅射易碎,建议溅射功率不超过3W/cm2。