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科研实验专用氧化铪靶材HfO2磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料
产品介绍
氧化铪（HfO2）常温常压下为白色固体，熔点：2758℃，沸点：5400℃，密度：9.68g/cm³，难溶于水，常温常压下稳定，避免与酸接触；当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧化铪；也可通过其硫酸盐或草酸盐经灼烧而得。用于光谱分析及催化剂体系，耐熔材料；是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它**可能替代目前硅基集成电路的核心器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO2)，以解决目前MOSFET中传统SiO₂/Si结构的发展的尺寸极限问题。
产品参数
中文名 二氧化铪 化学式 HfO2 沸点 5400℃
分子量 210.49 熔点 2758℃ 密 度 9.68g/cm3
纯度 99.99%
支持靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例（重量比或原子比）、规格，我们会尽快为您报价！！
服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款，质量保证，售后无忧！
产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装
适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备
质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。
加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库
陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差，连续长时间溅射易发生靶裂情况，绑定背靶后，可提高化合物靶材的导热性能，提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您，选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶！
我公司采用高纯铟作为焊料，铟焊厚度约为0.2mm，高纯无氧铜作为背靶。
注意：高纯铟的熔点约为156℃，靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化！绑定背靶不影响靶材的正常使用！
建议：陶瓷脆性靶材、烧结靶材，高功率下溅射易碎，建议溅射功率不超过3W/cm2。
